- Код статьи
- S0044451024090098-1
- DOI
- 10.31857/S0044451024090098
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 166 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 391-402
- Аннотация
- Проанализированы результаты экспериментов по влиянию магнитного поля на проводимость туннельных структур сверхпроводник–изолятор–нормальный металл при температурах, много меньших критической температуры сверхпроводника Tc, и при малых напряжениях, при которых одноэлектронный ток Isingle сравним или меньше подщелевого андреевского тока IAndreev = In + Is. Эти две компоненты андреевского тока связаны с диффузионным движением коррелированных пар электронных возбуждений в нормальном и соответственно сверхпроводящем слоях структуры. При ориентации поля перпендикулярной к структуре с латеральными размерами больше глубины прникновения прослежен переход от неоднородного распределения поля к вихревой структуре. При ориентациях поля как в плоскости структуры, так и перпендикулярно к ней, одноэлектронный ток растет из-за влияния поля на сверхпроводящую щель Δc. Проводимость, обязанная андреевскому току In = kn th(eV/2kTeff), уменьшается из-за роста эффективной температуры Teff. Уменьшение вклада Is связано с уменьшением щели. Нам не известны работы, в которых рассматривается влияние магнитного поля на эту составляющую туннельного тока. Показано, что при малых напряжениях так называемый ток Дайнса, обязанный мнимой добавке к энергии щели из-за влияния дефектов в сверхпроводнике, не дает вклада в проводимость туннельной структуры.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 26.07.2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 42
Библиография
- 1. J. L. Levine, Phys. Rev. 155, 373 (1967).
- 2. J. Millstein, M. Tinkham, Phys. Rev. 158, 325 (1967).
- 3. A. Anthore, H. Pothier, and D. Esteve, Phys. Rev. Lett. 90, 127001 (2003).
- 4. М. А. Тарасов, В. С. Эдельман, Письма в ЖЭТФ, 101, 136 (2015).
- 5. M. Tarasov, A. Gunbina, M. Fominsky, A. Chekushkin, V. Vdovin, V. Koshelets, E. Sohina, A. Kalaboukhov, and V. Edelman, Electronics 10, 2894 (2021); https://doi.org/10.3390/electronics10232894.
- 6. T. Greibe, M. P.V. Stenberg, C. M. Wilson, T. Bauch, V. S. Shumeiko, and P. Delsing, Phys. Rev. Lett. 106, 097001 (2011).
- 7. А. В. Селиверстов, М. А. Тарасов, В. С. Эдельман, ЖЭТФ 151, 752 (2017).
- 8. I. Giaever and K. Megerle, Phys. Rev. 122, 1101 (1961).
- 9. F. W. J. Hekking and Y. V. Nazarov, Phys. Rev. B 49, 6847 (1994).
- 10. T. Faivre, D. S. Golubev, J. P. Pekola, Appl. Phys. Lett. 106, 182602 (2015).
- 11. R. C. Dynes, V. Narayanamurti, and J. P. Garno, Phys. Rev. Lett. 41, 1509 (1978).
- 12. A. V. Feshchenko, L. Casparis, I. M. Khaymovich, D. Maradan, O.-P. Saira, M. Palma, M. Meschke, J. P. Pekola, and D. M. ZumbUhl, Phys. Rev. Appl. 4, 034001 (2015)
- 13. В. С. Эдельман, ПТЭ, No 2, 159 (2009).
- 14. C. Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4 edition, John Willey and Sons, Inc [ Ч. Кит-тель, Введение в физику твердого тела, Наука, Москва (1978)].
- 15. В.В. Шмидт, Введение в физику сверхпроводников, МЦМНО (2000).
- 16. M. R. Eskildsen, M. Kugler, G. Levy, S. Tanaka, J.Jun, S. M. Kazakov, J. Karpinski, and O. Fischer, Physica C: Superconductivity 385, 169 (2003).
- 17. I. V. Grigorieva, W. Escoffier, J. Richardson, L. Y. Vinnikov, S. Dubonos, and V. Oboznov, Phys. Rev. Lett. 96, 077005 (2006).
- 18. A. F. Volkov and T. M. Klapwijk, Phys. Lett. A 168, 217 (1992); A. F. Volkov, Phys. Lett. A 174, 144 (1993); A.F. Volkov, A.V. Zaitsev, and T. M. Klapwijk, Physica C 210, 21 (1993); A. F. Volkov, Physica B 203, 267 (1994).
- 19. D. A. Dikin, M. J. Black, and V. Chandrasekhar, Phys. Rev. Lett. 87, 187003 (2001); https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.87.187003.