Везде

ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge

Вы можете
Код статьи
S0044451024050043-1
DOI
10.31857/S0044451024050043
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Арапкина Л. В
  • Аффилиация: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Козловa М. В.
  • Аффилиация: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук
Том/ Выпуск
Том 165 / Номер выпуска 5
Страницы
647-654
Аннотация
Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.
Ключевые слова
Дата публикации
26.07.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
46

Библиография

  1. 1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).
  2. 2. W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).
  3. 3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).
  4. 4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).
  5. 5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).
  6. 6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).
  7. 7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).
  8. 8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).
  9. 9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).
  10. 10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).
  11. 11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).
  12. 12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).
  13. 13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
  14. 14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).
  15. 15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).
  16. 16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).
  17. 17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).
  18. 18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).
  19. 19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).
  20. 20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).
  21. 21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).
  22. 22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).
  23. 23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).
  24. 24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).
  25. 25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).
  26. 26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).
  27. 27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).
  28. 28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).
QR
Перевести