Везде

DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge

You can
PII
S0044451024050043-1
DOI
10.31857/S0044451024050043
Publication type
Article
Status
Published
Authors
L. V Arapkina
  • Affiliation:
M. V. Kozlova
  • Affiliation:
Volume/ Edition
Volume 165 / Issue number 5
Pages
647-654
Abstract
Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.
Keywords
Date of publication
26.07.2025
Number of purchasers
0
Views
45

References

  1. 1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).
  2. 2. W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).
  3. 3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).
  4. 4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).
  5. 5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).
  6. 6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).
  7. 7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).
  8. 8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).
  9. 9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).
  10. 10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).
  11. 11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).
  12. 12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).
  13. 13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).
  14. 14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).
  15. 15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).
  16. 16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).
  17. 17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).
  18. 18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).
  19. 19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).
  20. 20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).
  21. 21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).
  22. 22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).
  23. 23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).
  24. 24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).
  25. 25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).
  26. 26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).
  27. 27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).
  28. 28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).
QR
Translate