ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Andreeva, N.V.; Ryndin, E.A.; Mazing, D.S.; Usikova, A.A.; Romanov, A.A.; Ajvazan, V.M.; Petrov, M.O.

doi:10.7868/S3034641X25090161

PII

S3034641X25090161-1

DOI

10.7868/S3034641X25090161

Publication type

Article

Status

Published

Authors

N.V. Andreeva

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

E.A. Ryndin

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

D.S. Mazing

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

A.A. Usikova

Affiliation: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

A.A. Romanov

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

V.M. Ajvazan

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

M.O. Petrov

Affiliation: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Volume/ Edition

Volume 168 / Issue number 3(9)

Pages

440-448

Abstract

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций AlO/TiO в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

Keywords

Date of publication

15.09.2025

Year of publication

2025

Number of purchasers

Views

References

1. L. Ye, Z. Gao, J. Fu et al., Front. Phys. 10, 839243 (2022).
2. P. Yao, H. Wu, B. Gao et al., Nature 577, 641 (2020).
3. F. Kiani, J. Yin, Z. Wang et al., Sci. Adv. 7, eabj4801 (2021).
4. Y. Zhong, J. Tang, X. Li et al., Nat. Electron. 5, 672 (2022).
5. C. Li, M. Hu, Y. Li et al., Nat. Electron. 1, 52 (2018).
6. R. Wang, T. Shi, X. Zhang et al., Nat. Commun. 13, 2289 (2022).
7. C. Li, D. Belkin, Y. Li et al., Nat. Commun. 9, 2385 (2018).
8. J. Rupp, D. Ielmini, and I. Valov, Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations, Springer, Cham (2022), p. 383.
9. W. Haensch, A. Raghunathan, K. Roy et al., Adv. Mater. 35, 2204944 (2023).
10. M. Onen, T. Gokmen, T. K. Todorov et al., Front. Artif. Intell. 5, 891624 (2022).
11. U. B¨ottger, M. von Witzleben, V. Havel et al., Sci. Rep. 10, 16391 (2020).
12. M.L¨ubben, S.Wiefels, R.Waser et al., Adv. Electron. Mater. 4, 1700458 (2018).

GOST	Ajvazan V., Andreeva N., Mazing D., Petrov M., Romanov A., Ryndin E., Usikova A. ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ // Journal of Experimental and Theoretical Physics. – 2025. – V. 168. – Issue number 3(9) C. 440-448 . URL: https://jetpras.ru/s3034641x25090161-1/?version_id=121361. DOI: 10.7868/S3034641X25090161
MLA	Ajvazan, V.M, Andreeva, N.V, Mazing, D.S, Petrov, M.O, Romanov, A.A, Ryndin, E.A, Usikova, A.A "ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ." Journal of Experimental and Theoretical Physics. 168.3 (2025).:440-448. DOI: 10.7868/S3034641X25090161
APA	Ajvazan V., Andreeva N., Mazing D., Petrov M., Romanov A., Ryndin E., Usikova A. (2025). ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ. Journal of Experimental and Theoretical Physics. vol. 168, no. 3, pp.440-448 DOI: 10.7868/S3034641X25090161

RAS PhysicsЖурнал экспериментальной и теоретической физики Journal of Experimental and Theoretical Physics

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

You can

References

Индексирование

RAS PhysicsЖурнал экспериментальной и теоретической физики Journal of Experimental and Theoretical Physics

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

You can

References

Индексирование

Via social network