- Код статьи
- S3034641X25090013-1
- DOI
- 10.7868/S3034641X25090013
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 168 / Номер выпуска 3
- Страницы
- 285-295
- Аннотация
- Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 15.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 29
Библиография
- 1. J. Bhardwaj, J. M. Cesaratto, I. H. Wildeson et al., Phys. Status Solidi A 214, 1600826 (1999).
- 2. P. M. Pattison, M. Hansen, and J. Y. Tsao, C. R. Phys. 19, 134 (2018).
- 3. Y. Zhao, H. Fu, G. T. Wang, and S. Nakamura, Adv. Opt. Photon. 10, 246 (2018).
- 4. G. Verzellesi, D. Saguatti, M. Meneghini et al., J. Appl. Phys. 114, 071101 (2013).
- 5. L. Wang, J. Jin, Ch. Mi et al., Materials 10, 1233 (2017), DOI: 10.3390/mal0111233.
- 6. S. Karpov, Opt. Quant. Electron. 47, 1293 (2015).
- 7. F. Bertazzi, M. Goano, and E. Bellotti, Appl. Phys. Lett. 97, 231118 (2010).
- 8. E. Kioupakis, P. Rinke, K. T. Delaney, and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 98, 161107 (2011).
- 9. A. V. Zinovchuk and A. M. Gryschuk, Opt. Quant. Electron. 50, 455 (2018).
- 10. M. Brendel, A. Kruse, H. Jonen et al., Appl. Phys. Lett. 99, 031106 (2011).
- 11. H. Y. Ryu, K. S. Jeon, M. G. Kang et al., Sci. Rep. 7, 44814 (2017).
- 12. C.-K. Tan, W. Sun, J. J. Wiener, and N. Tansu, AIP Adv. 7, 035212 (2017).
- 13. I. Reklaitis, L. Krencius, T. Malinauskas et al., Semicond. Sci. Technol. 34, 015007 (2018).
- 14. H.-Y. Ryu, H.-S. Kim, and J.-I. Shim, Appl. Phys. Lett. 95, 081114 (2009).
- 15. W. G. Scheibenzuber, U. T. Schwarz, L. Sulmoni et al., J. Appl. Phys. 109, 093106 (2011).
- 16. M. Zhang, P. Bhattacharya, J. Singh, and J. Hinckley, Appl. Phys. Lett. 95, 201108 (2009).
- 17. G. G. Zegrya and V. A. Kharchenko, Sov. Phys. JETP 74, 173 (1992).
- 18. A. S. Polkovnikov and G. G. Zegrya, Phys. Rev. B 58, 4039 (1998).
- 19. J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti et al., Phys. Rev. Lett. 110, 177406 (2013).
- 20. F. Bertazzi, M. Goano, Xiangyu Zhou et al., Appl. Phys. Lett. 106, 061112 (2015).
- 21. N. Anchal, A. Pansari, and B. K. Sahoo, AIP Conf. Proc. 2220, 050008 (2020).
- 22. X. Li, E. DeJong, R. Armitage et al., Appl. Phys. Lett. 123, 112109 (2023).
- 23. D. Jenkins, in Band Structure of InN, GalnN and AlInN, ed. by E. D. Series, Publisher, Address (1994), Vol. 11.
- 24. N. E. Christensen and I. Gorczyca, Phys. Rev. B 50, 4397 (1994).
- 25. R. Vaxenburg, A. Rodina, E. Lifshitz, and A. L. Efros, Appl. Phys. Lett. 103, 221111 (2013).
- 26. D. Samosvat, A. Karpova, and G. Zegrya, Appl. Phys. A 131, 99 (2025).
- 27. E. O. Kane, J. Phys. Chem. Sol. 1, 249 (1957).
- 28. I.-J. Chen, S. Thorberg, and Y. Chen, in Calculation on the Band Structure of GaAs Using k · p-theory FFF 042, Publisher, Address (2014).
- 29. A. Polkovnikov and R. A. Suris, Phys. Rev. B 62, 16566 (2000).
- 30. H. Bateman and B. M. Project, Higher Transcendental Functions, Vol. I-III, McGraw-Hill Book Comp., Address (2023).
- 31. G. G. Zegrya and A. D. Andreev, Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995).
