Везде

TEORIYa VNUTRIZONNYKh OPTIChESKIKh PEREKhODOV V NANOKRISTALLAKh KREMNIYa S ATOMOM VISMUTA

You can
PII
S004445102503006X-1
DOI
10.31857/S004445102503006X
Publication type
Article
Status
Published
Authors
M. V. Kozlova
  • Affiliation:
V. A. Burdov
  • Affiliation:
Volume/ Edition
Volume 167 / Issue number 3
Pages
353-361
Abstract
Обсуждается модель эффективной световой эмиссии видимого диапазона в слаболегированных висмутом нанокристаллах кремния (один донор на нанокристалл), осуществляемая за счет внутризонных электронных переходов триплет–синглет. Показано, что для нанокристаллов размерами 2–3 нм имеет место сильное расщепление уровней в нижней части энергетического спектра зоны проводимости за счет короткодействующего потенциала иона Bi. Оптически активными оказываются переходы из двух нижних триплетных состояний в основное (синглетное) состояние. При этом скорость переходов может превышать 107 с−1.
Keywords
Date of publication
26.07.2025
Number of purchasers
0
Views
46

References

  1. 1. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin, Phys. Rev. Lett. 96, 037404 (2006).
  2. 2. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, U. B¨ottger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 92, 091111 (2008).
  3. 3. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).
  4. 4. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, R. Eichholz, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 95, 201110 (2009).
  5. 5. V. A. Belyakov, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, and V. A. Burdov, J. Phys.: Condens. Matter 21, 045803 (2009).
  6. 6. T. C.-J. Yang, K. Nomoto, B. Puthen-Veettil, Z. Lin, L. Wu, T. Zhang, X. Jia, G. Conibeer, and I. PerezWurfl, Mater. Res. Express 4, 075004 (2017).
  7. 7. K. Nomoto, T. C. -J. Yang, A. V. Ceguerra, T. Zhang, Z. Lin, A. Breen, L. Wu, B. Puthen-Veettil, X. Jia, G. Conibeer, I. Perez-Wurfl, and S. P. Ringer, J. Appl. Phys. 122, 025102 (2017).
  8. 8. E. Klimesova, K. Kusova, J. Vacik, V. Holy, and I. Pelant, J. Appl. Phys. 112, 064322 (2012).
  9. 9. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 79, 035302 (2009).
  10. 10. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Appl. Phys. 123, 161598 (2018).
  11. 11. N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, and V. A. Burdov, J. Lumin. 233, 117904 (2021).
  12. 12. V. A. Burdov and M. I. Vasilevskiy, Appl. Sci. 11, 497 (2021).
  13. 13. F. Sangghaleh, I. Sychugov, Z. Yang, J. G. C. Veinot, and J. Linnros, ACS Nano 9, 7097 (2015).
  14. 14. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. M¨uller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).
  15. 15. C. Sevik and C. Bulutay, Phys. Rev. B 77, 125414 (2008).
  16. 16. G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. B 66, 233303 (2002).
  17. 17. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955).
  18. 18. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).
  19. 19. Z. Zhou, M. L. Steigerwald, R. A. Friesner, L. Brus, andM. S. Hybertsen, Phys. Rev. B 71, 245308 (2005).
  20. 20. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Phys. Chem. C 122, 850 (2018).
  21. 21. S. Ossicini, I. Marri, M. Amato, M. Palummo, E. Canadell, and R. Rurali, Faraday Discuss. 222, 217 (2020).
  22. 22. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Lett. A 367, 128 (2007).
  23. 23. S. T. Pantelides and C. T. Sah, Phys. Rev. B 10, 621 (1974).
  24. 24. В. А. Бурдов,ЖЭТФ 121, 480 (2002)
  25. 25. V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).
  26. 26. А. А. Копылов, ФТП 16, 2141 (1982)
  27. 27. A. Kopylov, Sov. Phys. Semicond. 16, 1380 (1982).
  28. 28. J. L. Ivey and R. L. Mieher, Phys. Rev. B 11, 822 (1975).
  29. 29. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 76, 045335 (2007).
  30. 30. V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).
  31. 31. R. A. Faulkner, Phys. Rev. 184, 713 (1969).
  32. 32. A. K. Ramdas and S. Rodriguez, Rep. Prog. Phys. 44, 1297 (1981).
  33. 33. A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. B 48, 10893 (1993).
  34. 34. U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).
  35. 35. T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).
  36. 36. R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 241305 (2001).
  37. 37. J. Urayama, N. B. Norris, J. Singh, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. Lett. 86, 4930 (2001).
  38. 38. P. Guyot-Sionnest, B. Wehrenberg, and D. Yu, J. Chem. Phys. 123, 074709 (2005).
  39. 39. A. J. Nozik, Annu. Rev. Phys. Chem. 52, 193 (2001).
  40. 40. С. А. Фомичев, В. А. Бурдов, ФТП 57, 566 (2023)
  41. 41. S. A. Fomichev, V. A. Burdov, Semiconductors 57, 551 (2023).
  42. 42. A. Thranhardt, C. Ell, G. Khitrova, and H. M. Gibbs, Phys. Rev. B 65, 035327 (2002).
QR
Translate