MAGNITOFONONNYE OSTsILLYaTsII SOPROTIVLENIYa V STRUKTURAKh S KVANTOVOY YaMOY GaAs I BAR'ERAMI IZ SVERKhREShETOK AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

PII
S0044451025020087-1
DOI
10.31857/S0044451025020087
Publication type
Article
Status
Published
Authors
Volume/ Edition
Volume 167 / Issue number 2
Pages
226-232
Abstract
Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77–240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10–25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т. е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.
Keywords
Date of publication
26.07.2025
Number of purchasers
0
Views
44

References

  1. 1. В. Л. Гуревич, Ю. А. Фирсов, ЖЭТФ 40, 198 (1961).
  2. 2. S. M. Puri and T. H. Geballe, Bull. Am. Phys. Soc. 8, 309 (1963).
  3. 3. С. С. Шалыт, Р. В. Парфеньев, В. М. Муждаба, ФТТ 6, 647 (1964).
  4. 4. D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho et al., Phys. Rev. Lett. 44, 341 (1980).
  5. 5. D. C. Tsui, Th. Englert, J. C. Portal et al., Sol. St. Commun. 44, 1301 (1982).
  6. 6. Giyuu Kido, Noboru Miura, Hideo Ohno et al., J. Phys. Soc. Jpn. 51, 2168 (1982).
  7. 7. M. A. Brummell, R. J. Nicholas, M. A. Hopkins et al., Phys. Rev. Lett. 58, 77 (1987).
  8. 8. D. R. Leadley, R. J. Nicholas, J. Singleton et al., Phys. Rev. Lett. 73, 589 (1994).
  9. 9. C. Faugeras, D. K. Maude, G. Martinez et al., Phys. Rev. B 69, 073405 (2004).
  10. 10. R. J. Nicholas, in Landau Level Spectroscopy, vol. 27.2, ed. by G. Landwehr and E. I. Rashba, Elsevier, Amsterdam, (1991), p. 777.
  11. 11. M. Hass and B. W. Henvis, J. Phys. Chem. Solids 23, 1099 (1962).
  12. 12. R. Stradling and R. Wood, J. Phys. C 1, 1711 (1968).
  13. 13. A. Mooradian and G. B. Wright, Sol. St. Commun. 4, 431 (1966).
  14. 14. B. Jusserand and J. Sapriel, Phys. Rev. B 24, 7194 (1981).
  15. 15. R. Lassnig and W. Zawadzki, J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 5435 (1983).
  16. 16. V. V. Afonin, V. L. Gurevich, and R. Laiho, Phys. Rev. B 62, 15913 (2000).
  17. 17. А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан и др., Письма в ЖЭТФ 112, 475 (2020).
  18. 18. A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov et al., Phys. Rev. B 80, 193305 (2009).
  19. 19. M. A. Zudov, I. V. Ponomarev, A. L. Efros et al., Phys. Rev. Lett. 86, 3614 (2001).
  20. 20. А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров и др., Письма в ЖЭТФ 81, 646 (2005).
  21. 21. А. А. Быков, А. В. Горан, Письма в ЖЭТФ 90, 630 (2009).
  22. 22. A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiffer et al., Phys. Rev. B 102, 086808 (2009).
  23. 23. I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin et al., Rev. Mod. Phys. 84, 1709 (2012).
  24. 24. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 80, 075318 (2009).
  25. 25. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 81, 195301 (2010).
  26. 26. A. A. Bykov, A. V. Goran, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 81, 155322 (2010).
  27. 27. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).
QR
Translate