Везде
IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV
Annotation
PII
S0044451024110130-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
T. M. Zalyalov  M. V. Kozlova
Affiliation:
Edition
Volume 166 Issue number 5
Pages
703-709
Abstract
Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.
Acknowledgment
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ для Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.
Received
06.11.2024
Number of purchasers
0
Views
22
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. D. Bondurant, Ferroelectrics 112, 273 (1990).

2. T. S. B¨oscke, J. M¨uller, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).

3. T. S. B¨oscke, S. Teichert, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112904 (2011).

4. X. Sang, E.D. Grimley, T. Schenk et al., Appl.Phys. Lett. 106, 162905 (2015).

5. M. Trentzsch, S. Flachowsky, R. Richter et al., IEEE IEDM, 11.5.1 (2016).

6. S. Mueller, J. Muller, U. Schroeder et al., IEEE Trans.Device Mater.Reliab. 13, 93 (2013).

7. M. Pesiˇc, F.P.G. Fengler, S. Slesazeck et al., IEEE IRPS, MY–3–1 (2016).

8. U. Schroeder, E. Yurchuk, J. M¨uller et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 08LE02 (2014).

9. H. J. Kim, M.H. Park, Y. J. Kim et al., Nanoscale 8, 1383 (2016).

10. Y. Lee, H. Alex Hsain, S. S. Fields et al., Appl.Phys. Lett. 118, 012903 (2021).

11. M.G. Kozodaev, A.G. Chernikova, E.V. Korostylev et al., J.Appl.Phys. 125, 034101 (2019).

12. M. I. Popovici, A.M. Walke, J. Bizindavyi et al., ACS Appl.Electron.Mater. 4, 1823 (2022).

13. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Phys. Status Solidi (RRL) 8, 532 (2014).

14. S. S. Fields, S. W. Smith, S. T. Jaszewski et al., J.Appl.Phys. 130, 134101 (2021).

15. A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, R.R. Khakimov et al., Appl.Phys. Lett. 117, 192902 (2020).

16. S. Migita, H. Ota, H. Yamada et al., Jpn. J.Appl. Phys. 57, 04FB01 (2018).

17. S.W. Smith, A.R. Kitahara, M.A. Rodriguez et al., Appl.Phys. Lett. 110, 072901 (2017).

18. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 105, 072902 (2014).

19. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Shiraishi et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 09PA04 (2014).

20. M. Hyuk Park, H. Joon Kim, Y. Jin Kim et al., Appl. Phys. Lett. 102, 112914 (2013).

21. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 104, 072901 (2014).

22. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Oikawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 112904 (2015).

23. G. Karbasian, R. dos Reis, A.K. Yadav et al., Appl. Phys. Lett. 111, 022907 (2017).

24. T.M. Zalyalov and D.R. Islamov, 2022 IEEE EDM, 48 (2022).

25. К.А. Насыров, В.А. Гриценко, ЖЭТФ 139, 1172 (2011).

26. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng et al., Appl.Phys. Lett. 105, 222901 (2014).

27. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, and D.R. Islamov, Phys.Rep. 613, 1 (2016).

28. V.A. Gritsenko and A.A. Gismatulin, Appl.Phys. Lett. 117, 142901 (2020).

29. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko et al., Appl.Phys. Lett. 106, 102906 (2015).

30. Д.Р. Исламов, А.Г. Черникова, М. Г. Козодаев и др., Письма в ЖЭТФ 102, 610 (2015).

31. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov et al., Acta Mater. 166, 47 (2019).

32. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, Автометрия 53, 102 (2017).

33. A.A. Pil’nik, A.A. Chernov, and D.R. Islamov, Sci.Rep. 10, 15759 (2020).

34. J. M¨uller, T. S. B¨oscke, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112901 (2011).

35. P. Nukala, M. Ahmadi, Y. Wei et al., Science 372, 630 (2021).

36. H.C. Barshilia, M. S. Prakash, A. Poojari et al., Thin Solid Films 460, 133 (2004).

37. R. Alcala, M. Materano, P.D. Lomenzo et al., Adv. Funct.Mater. 33, 2303261 (2023).

38. E.D. Grimley, T. Schenk, X. Sang et al., Adv.Electron. Mater. 2, 1600173 (2016).

39. R. Alcala, F. Mehmood, P. Vishnumurthy et al., IEEE IMW (2022).

Comments

No posts found

Write a review
Translate