ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ Hf0.5Zr0.5O2 ПРИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ С РАЗНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ ЭЛЕКТРОДОВ

Залялов Т. М.; Козловa М. В.

doi:10.31857/S0044451024110130

Главная>Номер выпуска 5>ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ Hf0.5Zr0.5O2 ПРИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ С РАЗНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ ЭЛЕКТРОДОВ

ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ Hf0.5Zr0.5O2 ПРИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ С РАЗНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ ЭЛЕКТРОДОВ

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0044451024110130-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Залялов Т. М. Связаться с автором

Аффилиация:
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Новосибирский государственный университет

Козловa М. В.

Выпуск

Том 166 Номер выпуска 5

Страницы

703-709

Аннотация

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.

Источник финансирования

Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ для Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук.

Классификатор

Получено

06.11.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Залялов Т. , Козловa М. ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ Hf0.5Zr0.5O2 ПРИ ЦИКЛИЧЕСКОЙ ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОРОВ С РАЗНЫМИ МАТЕРИАЛАМИ ЭЛЕКТРОДОВ // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – T. 166. – Номер выпуска 5 C. 703-709 . URL: https://jetpras.ru/s0044451024110130-1/?version_id=105747. DOI: 10.31857/S0044451024110130
MLA	Kozlova, M. V, Zalyalov, T. M "IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 166.5 (2024).:703-709. DOI: 10.31857/S0044451024110130
APA	Kozlova M., Zalyalov T. (2024). IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 166, no. 5, pp.703-709 DOI: 10.31857/S0044451024110130

Библиография

1. D. Bondurant, Ferroelectrics 112, 273 (1990).

2. T. S. B¨oscke, J. M¨uller, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).

3. T. S. B¨oscke, S. Teichert, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112904 (2011).

4. X. Sang, E.D. Grimley, T. Schenk et al., Appl.Phys. Lett. 106, 162905 (2015).

5. M. Trentzsch, S. Flachowsky, R. Richter et al., IEEE IEDM, 11.5.1 (2016).

6. S. Mueller, J. Muller, U. Schroeder et al., IEEE Trans.Device Mater.Reliab. 13, 93 (2013).

7. M. Pesiˇc, F.P.G. Fengler, S. Slesazeck et al., IEEE IRPS, MY–3–1 (2016).

8. U. Schroeder, E. Yurchuk, J. M¨uller et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 08LE02 (2014).

9. H. J. Kim, M.H. Park, Y. J. Kim et al., Nanoscale 8, 1383 (2016).

10. Y. Lee, H. Alex Hsain, S. S. Fields et al., Appl.Phys. Lett. 118, 012903 (2021).

11. M.G. Kozodaev, A.G. Chernikova, E.V. Korostylev et al., J.Appl.Phys. 125, 034101 (2019).

12. M. I. Popovici, A.M. Walke, J. Bizindavyi et al., ACS Appl.Electron.Mater. 4, 1823 (2022).

13. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Phys. Status Solidi (RRL) 8, 532 (2014).

14. S. S. Fields, S. W. Smith, S. T. Jaszewski et al., J.Appl.Phys. 130, 134101 (2021).

15. A.G. Chernikova, M.G. Kozodaev, R.R. Khakimov et al., Appl.Phys. Lett. 117, 192902 (2020).

16. S. Migita, H. Ota, H. Yamada et al., Jpn. J.Appl. Phys. 57, 04FB01 (2018).

17. S.W. Smith, A.R. Kitahara, M.A. Rodriguez et al., Appl.Phys. Lett. 110, 072901 (2017).

18. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 105, 072902 (2014).

19. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Shiraishi et al., Jpn. J. Appl.Phys. 53, 09PA04 (2014).

20. M. Hyuk Park, H. Joon Kim, Y. Jin Kim et al., Appl. Phys. Lett. 102, 112914 (2013).

21. M.H. Park, H. J. Kim, Y. J. Kim et al., Appl.Phys. Lett. 104, 072901 (2014).

22. T. Shimizu, T. Yokouchi, T. Oikawa et al., Appl. Phys. Lett. 106, 112904 (2015).

23. G. Karbasian, R. dos Reis, A.K. Yadav et al., Appl. Phys. Lett. 111, 022907 (2017).

24. T.M. Zalyalov and D.R. Islamov, 2022 IEEE EDM, 48 (2022).

25. К.А. Насыров, В.А. Гриценко, ЖЭТФ 139, 1172 (2011).

26. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng et al., Appl.Phys. Lett. 105, 222901 (2014).

27. V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, and D.R. Islamov, Phys.Rep. 613, 1 (2016).

28. V.A. Gritsenko and A.A. Gismatulin, Appl.Phys. Lett. 117, 142901 (2020).

29. D.R. Islamov, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko et al., Appl.Phys. Lett. 106, 102906 (2015).

30. Д.Р. Исламов, А.Г. Черникова, М. Г. Козодаев и др., Письма в ЖЭТФ 102, 610 (2015).

31. D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov et al., Acta Mater. 166, 47 (2019).

32. Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин, Автометрия 53, 102 (2017).

33. A.A. Pil’nik, A.A. Chernov, and D.R. Islamov, Sci.Rep. 10, 15759 (2020).

34. J. M¨uller, T. S. B¨oscke, D. Br¨auhaus et al., Appl. Phys. Lett. 99, 112901 (2011).

35. P. Nukala, M. Ahmadi, Y. Wei et al., Science 372, 630 (2021).

36. H.C. Barshilia, M. S. Prakash, A. Poojari et al., Thin Solid Films 460, 133 (2004).

37. R. Alcala, M. Materano, P.D. Lomenzo et al., Adv. Funct.Mater. 33, 2303261 (2023).

38. E.D. Grimley, T. Schenk, X. Sang et al., Adv.Electron. Mater. 2, 1600173 (2016).

39. R. Alcala, F. Mehmood, P. Vishnumurthy et al., IEEE IMW (2022).

Библиография

Комментарии

Войти через