Везде
ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge
Annotation
PII
S004445102408008X-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
R. A. Zhachuk 
Edition
Volume 166 Issue number 2
Pages
232-237
Abstract
С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.
Acknowledgment
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект №19-72-30023).
Received
13.08.2024
Number of purchasers
0
Views
22
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).

2. Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).

3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).

4. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).

5. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).

6. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).

7. H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).

8. R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).

9. J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).

10. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).

11. Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).

12. C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).

13. R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).

14. T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).

15. H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).

16. Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).

17. O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).

18. O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).

19. J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).

20. Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).

21. А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).

22. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).

23. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).

24. S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).

Comments

No posts found

Write a review
Translate