Исследованы транспортные свойства нематических аэрогелей, состоящих из покрытых графеновой оболочкой ориентированных нановолокон муллита. Показано, что магнитосопротивление этой системы хорошо аппроксимируется двумя вкладами - отрицательным, описываемым формулой для систем со слабой локализацией, и положительным, линейным по полю и ненасыщающимся в больших магнитных полях.Характер температурной зависимости длины сбоя фазы, полученной из анализа отрицательного вклада,указывает на главную роль электрон-электронного взаимодействия в разрушении фазовой когерентностии, предположительно, на переход при низких температурах от двухмерного режима слабой локализации к одномерному. Положительный линейный вклад в магнитосопротивление, по-видимому, обусловлен неоднородным распределением в токопроводящей среде локальной плотности носителей. Установлено также,что температурную зависимость сопротивления графенизированных аэрогелей для образцов с малым содержанием углерода, когда графеновое покрытие, по-видимому, является неполным, можно представить в виде суммы двух вкладов, один из которых характерен для слабой локализации, а второй описывается прыжковым механизмом, соответствующим закону Эфроса – Шкловского в случае гранулярной проводящей среды. Для образцов с большим содержанием углерода второй вклад отсутствует.