Везде
СИЛЬНОЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ИПРЫЖКОВЫЙ ТРАНСПОРТ В ГРАФЕНИЗИРОВАННЫХНЕМАТИЧЕСКИХ АЭРОГЕЛЯХ
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
СИЛЬНОЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ ИПРЫЖКОВЫЙ ТРАНСПОРТ В ГРАФЕНИЗИРОВАННЫХНЕМАТИЧЕСКИХ АЭРОГЕЛЯХ
Аннотация
Код статьи
S0044451024020123-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Цебро В. И  
Аффилиация:
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Институт физических проблем им. П.Л. Капицы Российской академии наук
Николаев Е. Г
Аффилиация: Институт физических проблем им. П.Л. Капицы Российской академии наук
Выпуск
Том 165 Номер выпуска 2
Страницы
266-275
Аннотация
Исследованы транспортные свойства нематических аэрогелей, состоящих из покрытых графеновой оболочкой ориентированных нановолокон муллита. Показано, что магнитосопротивление этой системы хорошо аппроксимируется двумя вкладами - отрицательным, описываемым формулой для систем со слабой локализацией, и положительным, линейным по полю и ненасыщающимся в больших магнитных полях.Характер температурной зависимости длины сбоя фазы, полученной из анализа отрицательного вклада,указывает на главную роль электрон-электронного взаимодействия в разрушении фазовой когерентностии, предположительно, на переход при низких температурах от двухмерного режима слабой локализации к одномерному. Положительный линейный вклад в магнитосопротивление, по-видимому, обусловлен неоднородным распределением в токопроводящей среде локальной плотности носителей. Установлено также,что температурную зависимость сопротивления графенизированных аэрогелей для образцов с малым содержанием углерода, когда графеновое покрытие, по-видимому, является неполным, можно представить в виде суммы двух вкладов, один из которых характерен для слабой локализации, а второй описывается прыжковым механизмом, соответствующим закону Эфроса – Шкловского в случае гранулярной проводящей среды. Для образцов с большим содержанием углерода второй вклад отсутствует.
Источник финансирования
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант №21-72-20050).
Классификатор
Получено
10.06.2024
Всего подписок
0
Всего просмотров
17
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. I. Hussainova, R. Ivanov, S. N. Stamatin et al., Carbon 88, 157 (2015).

2. R. Ivanov, V. Mikli, J. K¨ubarsepp and I. Hussainova, Key Engin. Mater. 674, 77 (2016).

3. V. S. Solodovnichenko, M. M. Simunin, D. V. Lebedev et al., Thermochim. Acta 675, 164 (2019).

4. В. И. Цебро, Е. Г. Николаев, Л. Б. Луганский и др., ЖЭТФ 161, 266 (2022).

5. S. Hikami, A.I. Larkin and Y. Nagaoka, Prog. Of Theor. Phys. 63, 707 (1980).

6. P. A. Lee and T. V. Ramakrishnan, Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985).

7. N. Ramakrishnan, Y. T. Lai, S. Lara et al., Phys. Rev. B 96, 224203 (2017).

8. J. Ping, I. Yudhistira, N. Ramakrishnan et al., Phys. Rev. Lett. 113, 047206 (2014).

9. A. Narayanan, M. D.Watson, S. F. Blake et al., Phys. Rev. Lett. 114, 117201 (2015).

10. W. L. Zhu, Y. Cao, P. J. Guo et al., Phys. Rev. B 105, 125116 (2022).

11. A. L. Friedman, J. L. Tedesco, P. M. Campbell et al., Nano Lett. 10, 3962, (2010).

12. F. Kisslinger, C. Ott, C. Heide et al., Nat. Phys. 11, 650 (2015).

13. S. Gu, K. Fan, Y. Yang et al., Phys. Rev. B 104, 115203 (2021).

14. Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос, Электронные свойства легированных полупроводников, Наука, Москва (1979).

15. B. I. Shklovskii and A. L. Efros, in Electronic Properties of Doped Semiconductors, Vol. 45 of Springer Series in Solid-State Sciences, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg GmbH (1984).

16. J. Zhang and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 70, 115317 (2004).

17. I. S. Beloborodov, A. V. Lopatin, V. M. Vinokur, and K. B. Efetov, Rev. Mod. Phys. 79 469 (2007).

18. T. Hu and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 74, 054205 (2006).

19. T. Hu and B. I. Shklovskii, Phys. Rev. B 74, 174201 (2006).

20. I. L. Aleiner, B. L. Altshuler, and M. E. Gershenson, Waves in Random Media 9, 201 (1999).

21. L. Piraux, F. Abreu Araujo, T. N. Bui et al., Phys. Rev. B 92, 085428 (2015).

22. B. L. Altshuler, A. G. Aronov, and D. E. Khmelnitsky, J. Phys. C: Sol. St. Phys. 15, 7367 (1982).

23. S. Lara-Avila, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin et al., Phys. Rev. Lett. 107, 166602 (2011).

24. A. M. R. Baker, J. A. Alexander-Webber, T. Altebaeumer et al., Phys. Rev. B 86, 235441 (2012).

25. F. V. Tikhonenko, D. W. Horsell, R. V. Gorbachev, and A. K. Savchenko, Phys. Rev. Lett. 100, 056802 (2008).

26. D.-K. Ki, D. Jeong, J.-H. Choi et al., Phys. Rev. B 78, 125409 (2008).

27. R. Tarkiainen, M. Ahlskog, A. Zyuzin et al., Phys. Rev. B 69 033402 (2004).

28. F. V. Tikhonenko, A. A. Kozikov, A. K. Savchenko, and R. V. Gorbachev, Phys. Rev. Lett. 103 226801 (2009).

29. R. Xu, A. Husmann, T. F. Rosenbaum et al., Nature 390 57 (1997).

30. A. Husmann, J. B. Betts, G. S. Boebinger et al., Nature 417, 421 (2002).

31. M. M. Parish and P. B. Littlewood, Nature 426, 162 (2003).

32. M. M. Parish and P. B. Littlewood, Phys. Rev. B 72, 094417 (2005).

33. V. Guttal and D. Stroud, Phys. Rev. B 71, 201304 2005.

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести