ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Андреева Н.В.; Рындин Е.А.; Мазинг Д.С.; Усикова А.А.; Романов А.А.; Айвазян В.М.; Петров М.О.

doi:10.7868/S3034641X25090161

Код статьи

S3034641X25090161-1

DOI

10.7868/S3034641X25090161

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Андреева Н.В.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Рындин Е.А.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Мазинг Д.С.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Усикова А.А.

Аффилиация: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Романов А.А.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Айвазян В.М.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Петров М.О.

Аффилиация: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)

Том/ Выпуск

Том 168 / Номер выпуска 3

Страницы

440-448

Аннотация

Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций AlO/TiO в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.

Ключевые слова

Дата публикации

15.09.2025

Год выхода

2025

Всего подписок

Всего просмотров

Библиография

1. L. Ye, Z. Gao, J. Fu et al., Front. Phys. 10, 839243 (2022).
2. P. Yao, H. Wu, B. Gao et al., Nature 577, 641 (2020).
3. F. Kiani, J. Yin, Z. Wang et al., Sci. Adv. 7, eabj4801 (2021).
4. Y. Zhong, J. Tang, X. Li et al., Nat. Electron. 5, 672 (2022).
5. C. Li, M. Hu, Y. Li et al., Nat. Electron. 1, 52 (2018).
6. R. Wang, T. Shi, X. Zhang et al., Nat. Commun. 13, 2289 (2022).
7. C. Li, D. Belkin, Y. Li et al., Nat. Commun. 9, 2385 (2018).
8. J. Rupp, D. Ielmini, and I. Valov, Resistive Switching: Oxide Materials, Mechanisms, Devices and Operations, Springer, Cham (2022), p. 383.
9. W. Haensch, A. Raghunathan, K. Roy et al., Adv. Mater. 35, 2204944 (2023).
10. M. Onen, T. Gokmen, T. K. Todorov et al., Front. Artif. Intell. 5, 891624 (2022).
11. U. B¨ottger, M. von Witzleben, V. Havel et al., Sci. Rep. 10, 16391 (2020).
12. M.L¨ubben, S.Wiefels, R.Waser et al., Adv. Electron. Mater. 4, 1700458 (2018).

ГОСТ	Айвазян В. , Андреева Н. , Мазинг Д. , Петров М. , Романов А. , Рындин Е. , Усикова А. ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2025. – T. 168. – Номер выпуска 3 C. 440-448 . URL: https://jetpras.ru/s3034641x25090161-1/?version_id=121361. DOI: 10.7868/S3034641X25090161
MLA	Ajvazan, V.M, Andreeva, N.V, Mazing, D.S, Petrov, M.O, Romanov, A.A, Ryndin, E.A, Usikova, A.A "ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ." Journal of Experimental and Theoretical Physics. 168.3 (2025).:440-448. DOI: 10.7868/S3034641X25090161
APA	Ajvazan V., Andreeva N., Mazing D., Petrov M., Romanov A., Ryndin E., Usikova A. (2025). ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ. Journal of Experimental and Theoretical Physics. vol. 168, no. 3, pp.440-448 DOI: 10.7868/S3034641X25090161

ОФНЖурнал экспериментальной и теоретической физики Journal of Experimental and Theoretical Physics

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Вы можете

Библиография

Индексирование

ОФНЖурнал экспериментальной и теоретической физики Journal of Experimental and Theoretical Physics

ВЛИЯНИЕ ТОКОВ УТЕЧКИ НА РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ И ПРОЦЕДУРУ ФОРМОВКИ МЕМРИСТИВНЫХ ОКРАМ-УСТРОЙСТВ

Вы можете

Библиография

Индексирование

Войти через