- PII
- S3034641X25040054-1
- DOI
- 10.7868/S3034641X25040054
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 167 / Issue number 4
- Pages
- 502-516
- Abstract
- Экспериментально исследована зависимость доли мышьяка в слоях InAsxSb1−x, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2/As4 и Sb4. Экспериментальные данные описаны с помощью кинетической модели, основанной на положениях и подходах, предложенных и апробированных ранее применительно к GaPxAs1−x. В настоящей модели учтены особенности взаимодействия молекул As2/As4 и Sb4 с поверхностью InAsxSb1−x(001). Установлено, что механизм взаимодействия молекул As2 c InAsxSb1−x(001) зависит от поверхностной сверхструктуры.
- Keywords
- Date of publication
- 15.04.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 77
References
- 1. A. Bosacchi, S. Franchi, P. Allegri et al., J. Cryst. Growth 201/202, 858 (1999), doi:10.1016/s0022-0248(98)01473-0.
- 2. W. L. Sarney and S. P. Svensson, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 060604 (2015), doi:10.1116/1.4935892.
- 3. T. Zederbauer, A. M. Andrews, D. MacFarland et al., APL Mater. 5, 035501 (2017), doi:10.1063/1.4973216.
- 4. J. Klem, D. Huang, H. Morkoc et al., J. Appl. Phys. Lett. 50, 1364 (1987), doi:10.1063/1.97857.
- 5. X. Sun, S. Wang, J. S. Hsu et al., IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 817 (2002), doi:10.1109/JSTQE.2002.800848.
- 6. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jap. J. Appl. Phys. 27, 1585 (1988), doi:10.1143/JJAP.27.1585.
- 7. Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин и др., ФТП 53, 512 (2019), doi:10.21883/FTP.2019.04.47451.8981.
- 8. M. Losurdo, P. Capezzuto, G. Bruno et al., J. Appl. Phys. 100, 013531 (2006), doi:10.1063/1.2216049.
- 9. Е. А. Емельянов, Д. Ф. Феклин, А. В. Васев и др., Автометрия 47, 43 (2011).
- 10. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi:10.1116/1.1317818.
- 11. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi:10.1016/0039-6028(77)90273-4.
- 12. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi:10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.
- 13. J. M. Van Hove and P.J. Cohen, J. Vac. Sci. Technol. 20, 726 (1982), doi:10.1063/1.96017.
- 14. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J. Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi:10.1063/1.332239.
- 15. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S. A. Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi:10.1116/1.583319.
- 16. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino, J. Cryst. Growth 111, 61 (1991), doi:10.1016/0022-0248(91)90947-4.
- 17. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi:10.1016/S0039-6028(97)00563-3.
- 18. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang, T. S. Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi:10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
- 19. Ю. Г. Галицын, И. И. Мараховка, С. П. Мощенко, В. Г. Мансуров, Письма в ЖТФ 7, 31 (1998).
- 20. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015), doi:10.1016/S0039-6028(96)01085-0.
- 21. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi:10.1016/0039-6028(83)90548-4.
- 22. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi:10.1116/1.583182.
- 23. H. Seki, A. Koukitu, J. Cryst. Growth. 78, 342 (1986), doi:10.1016/0022-0248(86)90070-9.
- 24. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).
- 25. S. V. Ivanov P. D. Altukhov, T. S. Argunova et al., Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993).
- 26. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В. М. Устинов, П. С. Копьев, ФТП 31, 1153 (1997), doi:10.1134/1.1187033.
- 27. A. Y. Egorov, A. R. Kovsh, V. M. Ustinov et al., J. Gryst. Growth. 188, 69 (1998), doi:10.1134/1.1187033.
- 28. М. А. Путято, Е. А. Емельянов, М. О. Петрушков и др., ЖЭТФ 165, 51 (2024), doi:10.31857/S0044451024010061.
- 29. N. Jones, The Atomic Structure of the Indium Antimonide (001) Surface: The Degree of Doctor of Philosophy at the University of Leicester (1998).
