- Код статьи
- S004445102504011X-1
- DOI
- 10.31857/S004445102504011X
- Тип публикации
- Статья
- Статус публикации
- Опубликовано
- Авторы
- Том/ Выпуск
- Том 167 / Номер выпуска 4
- Страницы
- 576-585
- Аннотация
- Исследовано влияние дефектообразования на времена спиновой релаксации и рекомбинации носителей заряда в спиновых светоизлучающих диодах с ферромагнитным инжектирующим контактом CoPt/Al2O3/GaAs. Контролируемое дефектообразование осуществлялось путем облучения сформированных диодов ионами He+ с флюенсом 1012 см−2 и энергией 20 кэВ. Показано, что после облучения рекомбинационное время жизни в структурах существенно снижается, но время спиновой релаксации носителей, напротив, не претерпевает существенных изменений. В результате ионное облучение и сопутствующее образование вакансий обусловливают повышение степени циркулярной поляризации электролюминесценции спиновых светоизлучающих диодов за счет повышения отношения времени спиновой релаксации ко времени жизни (τs/τR). Полученный эффект сопровождается гашением электролюминесценции, что ставит под сомнение возможность применения данного метода в спиновых светоизлучающих диодах. Однако в приборах спинтроники, использующих спин-зависимый транспорт, возможность повышения времени спиновой релаксации при ионном облучении положительно скажется на эффективности их работы.
- Ключевые слова
- Дата публикации
- 16.09.2025
- Год выхода
- 2025
- Всего подписок
- 0
- Всего просмотров
- 14
Библиография
- 1. I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma, Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004).
- 2. S. Maekawa, Concepts in Spin Electronics, Oxford University Press, New York (2006).
- 3. A. Hirohata, K. Yamada, Y. Nakatani et al., J. Magn. Magn. Mater. 509, 166711 (2020).
- 4. C. H. Marrows, J. Barker, T. A. Moore et al., npj Spintronics 2, 12 (2024).
- 5. M. Holub and P. Bhattacharya, J. Phys. D: Appl. Phys. 40, R179 (2007).
- 6. Б. П. Захарчени, Ф. Майера, Оптическая ориентация, Наука, Ленинград (1989).
- 7. R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Phys.Rev. B. 69, 161305(R) (2004).
- 8. M. V. Dorokhin, Yu. A. Danilov, P. B. Demina et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 41, 245110 (2008).
- 9. R. Fiederling, M. Kleim, G. Reuscher et al., Nature 402, 787 (1999).
- 10. N. V. Baidus, M. I. Vasilevskiy, M. J. M. Gomes et al., Appl. Phys. Lett. 89, 181118 (2006).
- 11. H. Soldat, M. Li, N. C. Gerhardt et al., Appl. Phys. Lett. 99, 051102 (2011).
- 12. H. Hopfner, C. Fritsche, A. Ludwig et al., Appl. Phys. Lett. 101, 112402 (2012).
- 13. Е. И. Малышева, П. Б. Дёмина, М. В. Ведь и др., ФТТ 66, 184 (2024).
- 14. М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев и др., ЖТФ 92, 724 (2022).
- 15. И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов и др., ФТТ 63, 324 (2021).
- 16. http://www.SRIM.org
- 17. J. De Souza, I. Danilov, and H. Boudinov, Appl. Phys. Lett. 68, 535 (1996).
- 18. Е. А. Ускова, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №2, 89 (2006).
- 19. А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин и др., Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №7, 89 (2015).
- 20. Yu. N. Drozdov, N. V. Baidus’, B. N. Zvonkov et al., Semiconductors 37, 194 (2003).
- 21. M. V. Dorokhin, M. V. Ved’, P. B. Demina et al., Phys. Rev. B 104, 125309 (2021).
- 22. D. K. Young, J. A. Gupta, E. Johnston-Halperin et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 275 (2002).
- 23. М. В. Дорохин, М. В. Ведь, П. Б. Дёмина и др., ФТТ 59, 2135 (2017).
- 24. P. Barate, S. Liang, T. T. Zhang et al., Appl. Phys. Lett. 105, 012404 (2014).
- 25. T. Y. Tan, J. Phys. Chem. Solids 55, 917 (1994).
- 26. V. Swaminathan, Bull. Mater. Sci. 4, 403 (1982).
- 27. H. R. Potts and G. L. Pearson, J. Appl. Phys. 37, 2098 (1966).
- 28. А. С. Волков, А. И. Екимов, С. А. Никишин и др., Письма в ЖЭТФ 25, 560 (1977).
