БИСТАБИЛЬНОСТЬ В СЛОЕ ХИРАЛЬНОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
БИСТАБИЛЬНОСТЬ В СЛОЕ ХИРАЛЬНОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ
Аннотация
Код статьи
S0044451025030149-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Гейвандов А. Р.  
Аффилиация: Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»
Козловa М. В.
Аффилиация: Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»
Страницы
442-451
Аннотация
Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.
Классификатор
Получено
28.03.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
22
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. J.C. Jones, Handbook of Optoelectronics, CRC Press, USA (2017).

2. J. H. Kim, M. Yoneya, and H. Yokoyama, Nature 420, 159 (2002).

3. П. В. Долганов, К. Д. Бакланова, В. К. Долганов, ЖЭТФ 157, 936 (2020).

4. S. P. Palto, D. O. Rybakov, B. A. Umanskii et al., Crystals 13, 10 (2022).

5. C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Sol. St. Commun. 17, 1077 (1975).

6. C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46, 3738 (1975).

7. D.W. Berreman and W. R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37, 109 (1980).

8. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 127, 220 (2005).

9. С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 129, 1132 (2006).

10. G. P. Bryan-Brown et al., Proc. SID Digest of Technical Papers 28, 37 (1997).

11. C. Joubert et al., SID Symposium Digest of Technical Papers 33, 30 (2002).

12. И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто, Письма в ЖЭТФ 120, 690 (2024).

13. I. V. Simdyankin, A. R. Geivandov, I. V. Kasyanova et al., Crystals 14, 891 (2024).

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести