Везде
ТЕОРИЯ ВНУТРИЗОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ С АТОМОМ ВИСМУТА
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
ТЕОРИЯ ВНУТРИЗОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕХОДОВ В НАНОКРИСТАЛЛАХ КРЕМНИЯ С АТОМОМ ВИСМУТА
Аннотация
Код статьи
S004445102503006X-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Козловa М. В.  
Аффилиация: Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Бурдов В. А.
Аффилиация: Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Выпуск
Том 167 Номер выпуска 3
Страницы
353-361
Аннотация
Обсуждается модель эффективной световой эмиссии видимого диапазона в слаболегированных висмутом нанокристаллах кремния (один донор на нанокристалл), осуществляемая за счет внутризонных электронных переходов триплет–синглет. Показано, что для нанокристаллов размерами 2–3 нм имеет место сильное расщепление уровней в нижней части энергетического спектра зоны проводимости за счет короткодействующего потенциала иона Bi. Оптически активными оказываются переходы из двух нижних триплетных состояний в основное (синглетное) состояние. При этом скорость переходов может превышать 107 с−1.
Источник финансирования
В. А. Бурдов и С. А. Фомичев выражают благодарность Российскому научному фонду (грант№ 23-22-00275) за финансовую поддержку. Г. М. Максимова была поддержана Министерством науки и высшего образования РФ в рамках госзадания FSWR-2023-0035.
Классификатор
Получено
28.03.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
18
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin, Phys. Rev. Lett. 96, 037404 (2006).

2. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, U. B¨ottger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 92, 091111 (2008).

3. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).

4. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, R. Eichholz, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 95, 201110 (2009).

5. V. A. Belyakov, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, and V. A. Burdov, J. Phys.: Condens. Matter 21, 045803 (2009).

6. T. C.-J. Yang, K. Nomoto, B. Puthen-Veettil, Z. Lin, L. Wu, T. Zhang, X. Jia, G. Conibeer, and I. PerezWurfl, Mater. Res. Express 4, 075004 (2017).

7. K. Nomoto, T. C. -J. Yang, A. V. Ceguerra, T. Zhang, Z. Lin, A. Breen, L. Wu, B. Puthen-Veettil, X. Jia, G. Conibeer, I. Perez-Wurfl, and S. P. Ringer, J. Appl. Phys. 122, 025102 (2017).

8. E. Klimesova, K. Kusova, J. Vacik, V. Holy, and I. Pelant, J. Appl. Phys. 112, 064322 (2012).

9. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 79, 035302 (2009).

10. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Appl. Phys. 123, 161598 (2018).

11. N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, and V. A. Burdov, J. Lumin. 233, 117904 (2021).

12. V. A. Burdov and M. I. Vasilevskiy, Appl. Sci. 11, 497 (2021).

13. F. Sangghaleh, I. Sychugov, Z. Yang, J. G. C. Veinot, and J. Linnros, ACS Nano 9, 7097 (2015).

14. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. M¨uller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).

15. C. Sevik and C. Bulutay, Phys. Rev. B 77, 125414 (2008).

16. G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. B 66, 233303 (2002).

17. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955).

18. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).

19. Z. Zhou, M. L. Steigerwald, R. A. Friesner, L. Brus, andM. S. Hybertsen, Phys. Rev. B 71, 245308 (2005).

20. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Phys. Chem. C 122, 850 (2018).

21. S. Ossicini, I. Marri, M. Amato, M. Palummo, E. Canadell, and R. Rurali, Faraday Discuss. 222, 217 (2020).

22. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Lett. A 367, 128 (2007).

23. S. T. Pantelides and C. T. Sah, Phys. Rev. B 10, 621 (1974).

24. В. А. Бурдов,ЖЭТФ 121, 480 (2002)

25. V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).

26. А. А. Копылов, ФТП 16, 2141 (1982)

27. A. Kopylov, Sov. Phys. Semicond. 16, 1380 (1982).

28. J. L. Ivey and R. L. Mieher, Phys. Rev. B 11, 822 (1975).

29. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 76, 045335 (2007).

30. V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).

31. R. A. Faulkner, Phys. Rev. 184, 713 (1969).

32. A. K. Ramdas and S. Rodriguez, Rep. Prog. Phys. 44, 1297 (1981).

33. A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. B 48, 10893 (1993).

34. U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).

35. T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).

36. R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 241305 (2001).

37. J. Urayama, N. B. Norris, J. Singh, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. Lett. 86, 4930 (2001).

38. P. Guyot-Sionnest, B. Wehrenberg, and D. Yu, J. Chem. Phys. 123, 074709 (2005).

39. A. J. Nozik, Annu. Rev. Phys. Chem. 52, 193 (2001).

40. С. А. Фомичев, В. А. Бурдов, ФТП 57, 566 (2023)

41. S. A. Fomichev, V. A. Burdov, Semiconductors 57, 551 (2023).

42. A. Thranhardt, C. Ell, G. Khitrova, and H. M. Gibbs, Phys. Rev. B 65, 035327 (2002).

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести