- PII
- S004445102503006X-1
- DOI
- 10.31857/S004445102503006X
- Publication type
- Article
- Status
- Published
- Authors
- Volume/ Edition
- Volume 167 / Issue number 3
- Pages
- 353-361
- Abstract
- Обсуждается модель эффективной световой эмиссии видимого диапазона в слаболегированных висмутом нанокристаллах кремния (один донор на нанокристалл), осуществляемая за счет внутризонных электронных переходов триплет–синглет. Показано, что для нанокристаллов размерами 2–3 нм имеет место сильное расщепление уровней в нижней части энергетического спектра зоны проводимости за счет короткодействующего потенциала иона Bi. Оптически активными оказываются переходы из двух нижних триплетных состояний в основное (синглетное) состояние. При этом скорость переходов может превышать 107 с−1.
- Keywords
- Date of publication
- 16.09.2025
- Year of publication
- 2025
- Number of purchasers
- 0
- Views
- 64
References
- 1. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, J. N. Hovenier, T. O. Klaassen, D. A. Carder, P. J. Phillips, B. Redlich, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, and V. N. Shastin, Phys. Rev. Lett. 96, 037404 (2006).
- 2. S. G. Pavlov, H. W. H¨ubers, U. B¨ottger, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, J. N. Hovenier, B. Redlich, N. V. Abrosimov, and H. Riemann, Appl. Phys. Lett. 92, 091111 (2008).
- 3. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, J. N. Hovenier, N. V. Abrosimov, H. Riemann, R. Kh. Zhukavin, V. N. Shastin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 94, 171112 (2009).
- 4. S. G. Pavlov, U. B¨ottger, R. Eichholz, N. V. Abrosimov, H. Riemann, V. N. Shastin, B. Redlich, and H. W. H¨ubers, Appl. Phys. Lett. 95, 201110 (2009).
- 5. V. A. Belyakov, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, and V. A. Burdov, J. Phys.: Condens. Matter 21, 045803 (2009).
- 6. T. C.-J. Yang, K. Nomoto, B. Puthen-Veettil, Z. Lin, L. Wu, T. Zhang, X. Jia, G. Conibeer, and I. PerezWurfl, Mater. Res. Express 4, 075004 (2017).
- 7. K. Nomoto, T. C. -J. Yang, A. V. Ceguerra, T. Zhang, Z. Lin, A. Breen, L. Wu, B. Puthen-Veettil, X. Jia, G. Conibeer, I. Perez-Wurfl, and S. P. Ringer, J. Appl. Phys. 122, 025102 (2017).
- 8. E. Klimesova, K. Kusova, J. Vacik, V. Holy, and I. Pelant, J. Appl. Phys. 112, 064322 (2012).
- 9. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 79, 035302 (2009).
- 10. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Appl. Phys. 123, 161598 (2018).
- 11. N. V. Derbenyova, A. A. Konakov, and V. A. Burdov, J. Lumin. 233, 117904 (2021).
- 12. V. A. Burdov and M. I. Vasilevskiy, Appl. Sci. 11, 497 (2021).
- 13. F. Sangghaleh, I. Sychugov, Z. Yang, J. G. C. Veinot, and J. Linnros, ACS Nano 9, 7097 (2015).
- 14. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan, E. Martin, I. Mihalcescu, J. C. Vial, R. Romestain, F. M¨uller, and A. Bsiesy, Phys. Rev. Lett. 75, 2228 (1995).
- 15. C. Sevik and C. Bulutay, Phys. Rev. B 77, 125414 (2008).
- 16. G. Allan and C. Delerue, Phys. Rev. B 66, 233303 (2002).
- 17. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 97, 1721 (1955).
- 18. W. Kohn and J. M. Luttinger, Phys. Rev. 98, 915 (1955).
- 19. Z. Zhou, M. L. Steigerwald, R. A. Friesner, L. Brus, andM. S. Hybertsen, Phys. Rev. B 71, 245308 (2005).
- 20. N. V. Derbenyova and V. A. Burdov, J. Phys. Chem. C 122, 850 (2018).
- 21. S. Ossicini, I. Marri, M. Amato, M. Palummo, E. Canadell, and R. Rurali, Faraday Discuss. 222, 217 (2020).
- 22. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Lett. A 367, 128 (2007).
- 23. S. T. Pantelides and C. T. Sah, Phys. Rev. B 10, 621 (1974).
- 24. В. А. Бурдов,ЖЭТФ 121, 480 (2002)
- 25. V. A. Burdov, JETP 94, 411 (2002).
- 26. А. А. Копылов, ФТП 16, 2141 (1982)
- 27. A. Kopylov, Sov. Phys. Semicond. 16, 1380 (1982).
- 28. J. L. Ivey and R. L. Mieher, Phys. Rev. B 11, 822 (1975).
- 29. V. A. Belyakov and V. A. Burdov, Phys. Rev. B 76, 045335 (2007).
- 30. V. A. Belyakov, V. A. Burdov, R. Lockwood, and A. Meldrum, Adv. Opt. Tech. 2008, 279502 (2008).
- 31. R. A. Faulkner, Phys. Rev. 184, 713 (1969).
- 32. A. K. Ramdas and S. Rodriguez, Rep. Prog. Phys. 44, 1297 (1981).
- 33. A. J. Mayur, M. Dean Sciacca, A. K. Ramdas, and S. Rodriguez, Phys. Rev. B 48, 10893 (1993).
- 34. U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).
- 35. T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).
- 36. R. Heitz, H. Born, F. Guffarth, O. Stier, A. Schliwa, A. Hoffmann, and D. Bimberg, Phys. Rev. B 64, 241305 (2001).
- 37. J. Urayama, N. B. Norris, J. Singh, and P. Bhattacharya, Phys. Rev. Lett. 86, 4930 (2001).
- 38. P. Guyot-Sionnest, B. Wehrenberg, and D. Yu, J. Chem. Phys. 123, 074709 (2005).
- 39. A. J. Nozik, Annu. Rev. Phys. Chem. 52, 193 (2001).
- 40. С. А. Фомичев, В. А. Бурдов, ФТП 57, 566 (2023)
- 41. S. A. Fomichev, V. A. Burdov, Semiconductors 57, 551 (2023).
- 42. A. Thranhardt, C. Ell, G. Khitrova, and H. M. Gibbs, Phys. Rev. B 65, 035327 (2002).
