МАГНИТОФОНОННЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ GaAs И БАРЬЕРАМИ ИЗ СВЕРХРЕШЕТОК AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

Смирнов И. Ю.; Козловa М. В.

doi:10.31857/S0044451025020087

Главная>Номер выпуска 2>МАГНИТОФОНОННЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ GaAs И БАРЬЕРАМИ ИЗ СВЕРХРЕШЕТОК AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

МАГНИТОФОНОННЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ GaAs И БАРЬЕРАМИ ИЗ СВЕРХРЕШЕТОК AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0044451025020087-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Смирнов И. Ю. Связаться с автором

Аффилиация: Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук

Козловa М. В.

Аффилиация: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Выпуск

Том 167 Номер выпуска 2

Страницы

226-232

Аннотация

Исследованы магнитофононные осцилляции сопротивления (MPR), связанные с резонансным рассеянием электронов на оптических фононах при температурах 77–240 K, а также и резонансным рассеянием электронов на акустических фононах (PIRO) при температурах 10–25 K на одних и тех же образцах с квантовой ямой GaAs и барьерами из сверхрешеток AlAs/GaAs, легированных Si. При исследованиях MPR было показано, что резонансное рассеяние электронов происходит на объемных продольных оптических фононах и не зависит от размерности системы, а также и от межподзонных переходов в системах с двумя подзонами пространственного квантования. Однако величина амплитуды осцилляции с номером N=1 в двумерных структурах зависит от соотношения механизмов рассеяния, т. е. от их строения. Что касается PIRO, то в образцах с двумя подзонами пространственного квантования резонансное рассеяние электронов на продольных акустических фононах наблюдается на фоне межподзонных переходов (MISO), что вызывает их интерференцию.

Классификатор

Получено

28.03.2025

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Козловa М. , Смирнов И. МАГНИТОФОНОННЫЕ ОСЦИЛЛЯЦИИ СОПРОТИВЛЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВОЙ ЯМОЙ GaAs И БАРЬЕРАМИ ИЗ СВЕРХРЕШЕТОК AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩ // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2025. – T. 167. – Номер выпуска 2 C. 226-232 . URL: https://jetpras.ru/s0044451025020087-1/?version_id=105771. DOI: 10.31857/S0044451025020087
MLA	Kozlova, M. V, Smirnov, I. Yu "MAGNITOFONONNYE OSTsILLYaTsII SOPROTIVLENIYa V STRUKTURAKh S KVANTOVOY YaMOY GaAs I BAR'ERAMI IZ SVERKhREShETOK AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 167.2 (2025).:226-232. DOI: 10.31857/S0044451025020087
APA	Kozlova M., Smirnov I. (2025). MAGNITOFONONNYE OSTsILLYaTsII SOPROTIVLENIYa V STRUKTURAKh S KVANTOVOY YaMOY GaAs I BAR'ERAMI IZ SVERKhREShETOK AlAs/GaAs⟨δ-Si⟩. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 167, no. 2, pp.226-232 DOI: 10.31857/S0044451025020087

Библиография

1. В. Л. Гуревич, Ю. А. Фирсов, ЖЭТФ 40, 198 (1961).

2. S. M. Puri and T. H. Geballe, Bull. Am. Phys. Soc. 8, 309 (1963).

3. С. С. Шалыт, Р. В. Парфеньев, В. М. Муждаба, ФТТ 6, 647 (1964).

4. D. C. Tsui, Th. Englert, A. Y. Cho et al., Phys. Rev. Lett. 44, 341 (1980).

5. D. C. Tsui, Th. Englert, J. C. Portal et al., Sol. St. Commun. 44, 1301 (1982).

6. Giyuu Kido, Noboru Miura, Hideo Ohno et al., J. Phys. Soc. Jpn. 51, 2168 (1982).

7. M. A. Brummell, R. J. Nicholas, M. A. Hopkins et al., Phys. Rev. Lett. 58, 77 (1987).

8. D. R. Leadley, R. J. Nicholas, J. Singleton et al., Phys. Rev. Lett. 73, 589 (1994).

9. C. Faugeras, D. K. Maude, G. Martinez et al., Phys. Rev. B 69, 073405 (2004).

10. R. J. Nicholas, in Landau Level Spectroscopy, vol. 27.2, ed. by G. Landwehr and E. I. Rashba, Elsevier, Amsterdam, (1991), p. 777.

11. M. Hass and B. W. Henvis, J. Phys. Chem. Solids 23, 1099 (1962).

12. R. Stradling and R. Wood, J. Phys. C 1, 1711 (1968).

13. A. Mooradian and G. B. Wright, Sol. St. Commun. 4, 431 (1966).

14. B. Jusserand and J. Sapriel, Phys. Rev. B 24, 7194 (1981).

15. R. Lassnig and W. Zawadzki, J. Phys. C: Solid State Phys. 16, 5435 (1983).

16. V. V. Afonin, V. L. Gurevich, and R. Laiho, Phys. Rev. B 62, 15913 (2000).

17. А. А. Быков, И. С. Стрыгин, А. В. Горан и др., Письма в ЖЭТФ 112, 475 (2020).

18. A. V. Goran, A. A. Bykov, A. I. Toropov et al., Phys. Rev. B 80, 193305 (2009).

19. M. A. Zudov, I. V. Ponomarev, A. L. Efros et al., Phys. Rev. Lett. 86, 3614 (2001).

20. А. А. Быков, А. К. Калагин, А. К. Бакаров и др., Письма в ЖЭТФ 81, 646 (2005).

21. А. А. Быков, А. В. Горан, Письма в ЖЭТФ 90, 630 (2009).

22. A. T. Hatke, M. A. Zudov, L. N. Pfeiﬀer et al., Phys. Rev. B 102, 086808 (2009).

23. I. A. Dmitriev, A. D. Mirlin et al., Rev. Mod. Phys. 84, 1709 (2012).

24. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 80, 075318 (2009).

25. O. E. Raichev, Phys. Rev. B 81, 195301 (2010).

26. A. A. Bykov, A. V. Goran, and S. A. Vitkalov, Phys. Rev. B 81, 155322 (2010).

27. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).

Библиография

Комментарии

Войти через