ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er

Байдак С. Т; Козловa М. В.

doi:10.31857/S0044451024090104

Русский

Главная>Номер выпуска 3>ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er

ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er

Аннотация

Код статьи

S0044451024090104-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Байдак С. Т Связаться с автором

Аффилиация:
Институт физики металлов им. М. Н. Михеева Уральского отделения Российской академиии наук
Физико-технологический институт, Уральский федеральный университет им. Б. Н. Ельцина

Козловa М. В.

Выпуск

Том 166 Номер выпуска 3

Страницы

403-408

Аннотация

Исследованы особенности формирования полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O. Теоретические расчеты, выполненные в рамках метода GGA+U с учетом электронных корреляций в 4f-оболочке редкоземельных элементов, показали, что три соединения, DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O, являются полупроводниками с малой по величине прямой щелью 0.06, 0.10 и 0.09 эВ для DySbS2O, HoSbS2O и ErSbS2O соответственно в высокосимметричной точке X. Обнаружено, что для формирования запрещенной зоны в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов важными оказываются как проведение оптимизации кристаллической структуры, так и учет спин-орбитального взаимодействия. Оксисульфостибниты редкоземельных металлов, как и их слоистые структурные аналоги оксисульфиды, благодаря своим свойствам могут найти широкое применение в биомедицине, фотолюминесценции и других областях.

Источник финансирования

Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования РФ (тема «Электрон», № 122021000039-4). Вычисления были выполнены на суперкомпьютере Uran в Институте математики и механики УрО РАН.

Классификатор

Получено

01.11.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Байдак С. , Козловa М. ФОРМИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО СОСТОЯНИЯ В ОКСИСУЛЬФОСТИБНИТАХ RSbS2O ПРИ R = Dy, Ho, Er // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – T. 166. – Номер выпуска 3 C. 403-408 . URL: https://jetpras.ru/s0044451024090104-1/?version_id=105718. DOI: 10.31857/S0044451024090104
MLA	Baydak, S. T, Kozlova, M. V "FORMIROVANIE POLUPROVODNIKOVOGO SOSTOYaNIYa V OKSISUL'FOSTIBNITAKh RSbS2O PRI R = Dy, Ho, Er." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 166.3 (2024).:403-408. DOI: 10.31857/S0044451024090104
APA	Baydak S., Kozlova M. (2024). FORMIROVANIE POLUPROVODNIKOVOGO SOSTOYaNIYa V OKSISUL'FOSTIBNITAKh RSbS2O PRI R = Dy, Ho, Er. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 166, no. 3, pp.403-408 DOI: 10.31857/S0044451024090104

Библиография

1. J. H.L. Voncken, The Rare Earth Elements, Springer Briefs in Earth Sciences (2016).

2. V. Balaram, Geosci. Front. 10, 1285 (2019).

3. Gadolinium: Compounds, Production and Applications, ed. by C. C. Thompson, Nova Sci. Publ. Inc, UK (2011).

4. J. Nayak, S.-C. Wu, N. Kumar, C. Shekhar, S. Singh, J. Fink, E. E. D. Rienks, G. H. Fecher, S. S. P. Parkin, B. Yan, and C. Felser, Nat. Commun. 8, 13942 (2017).

5. Z. Li, D.-D. Xu, S.-Y. Ning, H. Su, T. Iitaka, T. To-hyama, and J.-X Zhang, Int. J. Mod. Phys. B 31, 1750217 (2017).

6. Y. Wu, Y. Lee, T. Kong, D. Mou, R. Jiang, L. Huang, S.L. Bud’ko, P. C. Canfield, and A. Kaminski, Phys. Rev. B 96, 035134 (2017).

7. S. T. Baidak and A. V. Lukoyanov, Materials 16, 242 (2023).

8. Yu. V. Knyazev, Yu. I. Kuz’min, S. T. Baidak, and A. V. Lukoyanov, Sol. St. Sci. 136, 107085 (2023).

9. L. Chen, Y. Wu, H. Huo, B. Tang, X. Ma, J. Wang, C. Sun, J. Sun, and S. Zhou, ACS Appl. Nano Mater. 5, 8440 (2022).

10. B. Ortega-Berlanga, L. Betancourt-Mendiola, C. An-gel-Olarte, L. Hernandez-Adame, S. Rosales-Mendoza, and G. Palestino, Crystals 11, 1094 (2021).

11. J. Lian, X. Sun, J.-G. Li, B. Xiao, and K. Duan, Mater. Chem. Phys. 122, 354 (2010).

12. C. Larquet and S. Carenco, Inorg. Chem. Front. 8, 179 (2020).

13. F. Wang, X. Chen, D. Liu, B. Yang, and Y. Dai, J. Mol. Struct. 1020, 153 (2012).

14. X. Wang, J.-G Li, M. S. Molokeev, X. Wang, W. Liu, Q. Zhu, H. Tanaka, K. Suzuta, B.-N. Kim, and Y. Sakka, RSC Adv. 7, 13331 (2017).

15. F. Li, M. Jin, Z. Li, X. Wang, Q. Zhu, and J.-G. Li, Appl. Surf. Sci. 609, 155323 (2023).

16. О. М. Алиев и В. С. Танрывердиев, Ж. неорг. химии 42, 1918 (1997).

17. S. T. Baidak and A. V. Lukoyanov, Int. J. Mol. Sci. 24, 8778 (2023).

18. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G. L. Chiarotti, M. Cococcioni, and I. Dabo, J. Phys.: Condens. Matter 21, 395502 (2009).

19. P. Giannozzi, O. Andreussi, T. Brumme, O. Bunau, M. B. Nardelli, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, and M. Cococcioni, J. Phys.: Condens. Matter 29, 465901 (2017).

20. V. I. Anisimov, F. Aryasetiawan and A. I. Lichtenstein, J. Phys.: Condens. Matter 9, 767 (1997).

21. J. P. Perdew, K. Burke and M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3865 (1996).

22. M. Topsakal and R. M. Wentzcovitch, Comput. Mater. Sci. 95, 263 (2014).

23. K. Momma and F. Izumi, J. Appl. Crystallogr. 44, 1272 (2011).

24. V. V. Marchenkov, A. V. Lukoyanov, S. T. Baidak, A. N. Perevalova, B. M. Fominykh, S. V. Naumov, and E. B. Marchenkova, Micromachines 14, 1888 (2023).

Библиография

Комментарии

Войти через