Везде

АТОМНЫЙ МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ge НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111) НА ДИФФУЗИЮ АДАТОМОВ Ge

Вы можете
Код статьи
S004445102408008X-1
DOI
10.31857/S004445102408008X
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Жачук Р. А.
  • Аффилиация: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Том/ Выпуск
Том 166 / Номер выпуска 2
Страницы
232-237
Аннотация
С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.
Ключевые слова
Дата публикации
26.07.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
47

Библиография

  1. 1. H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).
  2. 2. Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).
  3. 3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).
  4. 4. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).
  5. 5. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).
  6. 6. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).
  7. 7. H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).
  8. 8. R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).
  9. 9. J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).
  10. 10. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).
  11. 11. Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).
  12. 12. C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).
  13. 13. R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).
  14. 14. T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).
  15. 15. H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).
  16. 16. Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).
  17. 17. O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).
  18. 18. O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).
  19. 19. J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).
  20. 20. Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).
  21. 21. А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).
  22. 22. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).
  23. 23. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).
  24. 24. S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).
QR
Перевести