АТОМНЫЙ МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ge НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111) НА ДИФФУЗИЮ АДАТОМОВ Ge

Жачук Р. А.

doi:10.31857/S004445102408008X

Главная>Номер выпуска 2>АТОМНЫЙ МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ge НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111) НА ДИФФУЗИЮ АДАТОМОВ Ge

АТОМНЫЙ МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ge НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111) НА ДИФФУЗИЮ АДАТОМОВ Ge

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S004445102408008X-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Жачук Р. А. Связаться с автором

Аффилиация: Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук

Выпуск

Том 166 Номер выпуска 2

Страницы

232-237

Аннотация

С помощью расчетов на основе теории функционала плотности исследован атомный механизм влияния деформаций сжатия, образующихся на поверхности эпитаксиальных слоев Ge(111)-7×7, выращенных на подложке Si(111), на диффузию адатомов Ge. Было найдено, что энергетический барьер, ограничивающий миграцию адатомов Ge на большие расстояния, расположен вблизи угловых вакансий структуры 7 × 7 и вызван образованием ковалентной связи между адатомом Ge и атомом димера в составе структуры 7 × 7. Показано, что увеличение барьера на упруго-сжатой поверхности происходит из-за усиления связи в димере при сжатии поверхности, что ведет к ослаблению связи между адатомом Ge и атомом димера.

Источник финансирования

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (проект №19-72-30023).

Классификатор

Получено

13.08.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Жачук Р. АТОМНЫЙ МЕХАНИЗМ ВЛИЯНИЯ УПРУГИХ ДЕФОРМАЦИЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ Ge НА ПОВЕРХНОСТИ Si(111) НА ДИФФУЗИЮ АДАТОМОВ Ge // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – T. 166. – Номер выпуска 2 C. 232-237 . URL: https://jetpras.ru/s004445102408008x-1/?version_id=105703. DOI: 10.31857/S004445102408008X
MLA	Zhachuk, R. A "ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 166.2 (2024).:232-237. DOI: 10.31857/S004445102408008X
APA	Zhachuk R. (2024). ATOMNYY MEKhANIZM VLIYaNIYa UPRUGIKh DEFORMATsIY EPITAKSIAL'NYKh SLOEV Ge NA POVERKhNOSTI Si(111) NA DIFFUZIYu ADATOMOV Ge. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 166, no. 2, pp.232-237 DOI: 10.31857/S004445102408008X

Библиография

1. H. Brune, K. Bromann, H. R¨oder, K. Kern, J. Jacobsen, P. Stoltze, K. Jacobsen, and J. Nørskov, Phys. Rev.B 52, R14380(R) (1995).

2. Ratsch, A.P. Seitsonen, and M. Scheffler, Phys. Rev.B 55, 6750 (1997).

3. O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechensky, A.V. Latyshev, and A. L. Aseev, Semicond. Sci.Technol. 26, 014027 (2010).

4. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Phys.Rev.B 69, 125331 (2004).

5. V. Cherepanov and B. Voigtl¨ander, Appl.Phys. Lett. 81, 4745 (2002).

6. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi, and M. Takahashi, Surf. Sci. 164, 367 (1985).

7. H. J. Gossmann, J. C. Bean, L. C. Feldman, E. G. McRae, and I. K. Robinson. Phys.Rev. Lett. 55, 1106 (1985).

8. R. Zhachuk, S. Teys, and J. Coutinho, J.Chem.Phys. 138, 224702 (2013).

9. J.M. Soler, E. Artacho, J.D. Gale, A. Garc´ia, J. Junquera, P. Ordej´on, and D. Sanchez-Portal, J.Phys. Condens.Matter 14, 2745 (2002).

10. P. Perdew, K. Burke, and M. Ernzerhof, Phys.Rev. Lett. 77, 3865 (1996).

11. Р.А.Жачук, С.А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, ЖЭТФ 140, 1113 (2011).

12. C.M. Chang and C.M. Wei, Phys.Rev.B 67, 033309 (2003).

13. R. Zhachuk, S. Teys, B. Olshanetsky, and S. Pereira, Appl.Phys. Lett. 95, 061901 (2009).

14. T. Sato, S. I. Kitamura, and M. Iwatsuki, Surf. Sci. 445, 130 (2000).

15. H. Uchida, T. Kuroda, F. B. Mohamad, J. Kim,K. Kashiwagi, K. Nishimura, and M. Inoue, Phys. Stat. Sol. 241, 1665 (2004).

16. Vitali, M.G. Ramsey, and F.P. Netzer, Phys. Rev. Lett. 83, 316 (1999).

17. O. Custance, I. Brihuega, J.M. G´omez-Rodr´iguez, and A.M. Bar´o, Surf. Sci. 482–485, 1406 (2001).

18. O. Custance, S. Brochard, I. Brihuega, E. Artacho, J.M. Soler, A.M. Bar´o, and J.M. G´omez-Rodr´iguez, Phys.Rev.B 67, 235410 (2003).

19. J. Mysliveˇcek, P. Sobot´ik, I. Oˇst’´adal, T. Jarol´imek, and P. ˇSmilauer, Phys.Rev.B 63, 045403 (2001).

20. Polop, E. Vasco, J.A. Mart´in-Gago, and J. L. Saced ´on, Phys.Rev.B 66, 085324 (2002).

21. А.Е. Долбак, Р.А.Жачук,ЖЭТФ 160, 55 (2021).

22. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Phys.Rev. Lett. 83, 120 (1999).

23. S. Hwang, M. S. Ho, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 514, 309 (2002).

24. S. Ho, I. S. Hwang, and T.T. Tsong, Surf. Sci. 564, 93 (2004).

Библиография

Комментарии

Войти через