Везде

ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ Xe С ЭНЕРГИЕЙ 167 МЭВ НА СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ СВОЙСТВА ВТСП-ЛЕНТ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ

Вы можете
Код статьи
S0044451024060099-1
DOI
10.31857/S0044451024060099
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Дегтяренко П. Н.
  • Аффилиация:
    Объединенный институт высоких температур Российской академии наук
    ООО "С-Инновации"
Скуратов В. А.
  • Аффилиация: Объединенный институт ядерных исследований
Овчаров Алексей
  • Аффилиация: Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
Петржик А. М.
  • Аффилиация:
    ООО "С-Инновации"
    Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук
Гаврилкин C. Ю.
  • Аффилиация: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Новиков М. С.
  • Аффилиация: Объединенный институт ядерных исследований
Малявина А. Ю.
  • Аффилиация: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"
Козловa М. В.
  • Аффилиация: Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
Том/ Выпуск
Том 165 / Номер выпуска 6
Страницы
827-832
Аннотация
Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1 ・ 1012 см-2. Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см2 поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5–8 нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.
Ключевые слова
Дата публикации
26.07.2025
Всего подписок
0
Всего просмотров
50

Библиография

  1. 1. A. Markelov, A. Valikov, V. Chepikov, A. Petrzhik, B. Massalimov, P. Degtyarenko, R. Uzkih, A. Soldatenko, A. Molodyk, K. Sim, and S. Hwang, Prog. Supercond. Cryog. 21, 29 (2019).
  2. 2. A. Malozemoff, Annu. Rev. Mater. Res. 42, 373 (2012).
  3. 3. A. Abrikosov, J. Phys. Chem. Solids 2, 199 (1957).
  4. 4. G. Blatter, M. Feigel’man, V. Geshkenbein, A. Larkin, and V. Vinokur, Rev. Mod. Phys. 66, 1125 (1994).
  5. 5. V. Selvamanickam, G. Carota, M. Funk, N. Vo, and P. Haldar, IEEE Trans. Appl. Supercond. 11, 3379 (2001).
  6. 6. A. Catana, R. Broom, J. Bednorz, J. Mannhart, and D. Schlom, Appl. Phys. Lett. 60 1016 (1992).
  7. 7. J. MacManus-Driscoll, S. Foltyn, Q. Jia, H. Wang, A. Serquis, B. Maiorov, L. Civale, Y. Lin, M. Hawley, M. Maley, and D. Peterson, Appl. Phys. Lett. 84, 5329 (2004).
  8. 8. N. Strickland, S. Wimbush, J. Kennedy, M. Ridgway, E. Talantsev, and N. Long, IEEE Trans. Appl. Supercond. 25, 1 (2015).
  9. 9. A. Erb, E. Walker, and R. Fl¨ukiger, Physica C Supercond. 258, 9 (1996).
  10. 10. C. Varanasi, P. Barnes, J. Burke, L. Brunke, I. Maartense, T. Haugan, E. Stinzianni, K. Dunn, and P. Haldar, Supercond. Sci. Technol. 19, 37 (2006).
  11. 11. A. Molodyk, S. Samoilenkov, A. Markelov, P. Degtyarenko, S. Lee, V. Petrykin, M. Gaifullin, A. Mankevich, A. Vavilov, B. Sorbom, J. Cheng, S. Garberg, L. Kesler, Z. Hartwig, S. Gavrilkin, A. Tsvetkov, T. Okada, S. Awaji, D. Abraimov, A. Francis, G. Bradford, D. Larbalestier, C. Senatore, M. Bonura, A. Pantoja, S. Wimbush, N. Strickland, and A. Vasiliev, Sci Rep. 11, 2084 (2021).
  12. 12. E. Suvorova, P. Degtyarenko, I. Karateev, A. Ovcharov, A. Vasiliev, V. Skuratov, and P. Buffat, J. Appl. Phys. 126, 145106 (2019).
  13. 13. E. Suvorova, P. Degtyarenko, A. Ovcharov, and A. Vasiliev, J. Surf. Investig. 16, 112 (2022).
  14. 14. C. Bean, Phys. Rev. Lett. 8, 250 (1962).
  15. 15. D. Larbalestier, A. Gurevich, D. Feldmann, and A. Polyanskii, Nature 414, 368 (2001).
QR
Перевести