ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge

Арапкина Л. В; Козловa М. В.

doi:10.31857/S0044451024050043

Главная>Номер выпуска 5>ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge

ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge

Аннотация

Код статьи

S0044451024050043-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Арапкина Л. В Связаться с автором

Аффилиация: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Козловa М. В.

Аффилиация: Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук

Выпуск

Том 165 Номер выпуска 5

Страницы

647-654

Аннотация

Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.

Классификатор

Получено

06.07.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Арапкина Л. , Козловa М. ДИФФУЗИЯ АТОМОВ ВОДОРОДА ИЗ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК Si3N4 В АМОРФНЫЕ И ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ Si И Ge // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – T. 165. – Номер выпуска 5 C. 647-654 . URL: https://jetpras.ru/s0044451024050043-1/?version_id=105655. DOI: 10.31857/S0044451024050043
MLA	Arapkina, L. V, Kozlova, M. V "DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 165.5 (2024).:647-654. DOI: 10.31857/S0044451024050043
APA	Arapkina L., Kozlova M. (2024). DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 165, no. 5, pp.647-654 DOI: 10.31857/S0044451024050043

Библиография

1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).

2. W. Soppe, H. Rieﬀe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).

3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).

4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).

5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).

6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).

7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).

8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).

9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).

10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).

11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).

12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).

13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).

14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).

15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).

16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).

17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).

18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).

19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).

20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).

21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).

22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).

23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).

24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).

25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).

26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).

27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).

28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).

Библиография

Комментарии

Войти через