Везде
DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge
Table of contents
Annotation Estimate Publication content
References Comments
Share
QR
Metrics
DIFFUZIYa ATOMOV VODORODA IZ DIELEKTRIChESKIKh PODLOZhEK Si3N4 V AMORFNYE I POLIKRISTALLIChESKIE PLENKI Si I Ge
Annotation
PII
S0044451024050043-1
Publication type
Article
Status
Published
Authors
L. V Arapkina  M. V. Kozlova
Affiliation:
Edition
Volume 165 Issue number 5
Pages
647-654
Abstract
Методами дифракция быстрых отраженных электронов и ИК-спектроскопии изучены поликристаллические и аморфные пленки Si и Ge, выращенные на диэлектрических подложках Si3N4/SiO2/Si(001). В ИK-спектрах наблюдается уменьшение интенсивности N–H-полос поглощения в слоях Si3N4, связанное с переходом атомов водорода в растущие пленки Si и Ge. Этот процесс начинается уже при температуре роста пленки 30◦С и усиливается с увеличением температуры роста (30–500◦С) и толщины пленок Si и Ge (50–200 нм). Рассмотрена модель, основанная на предположении, что переход атомов водорода из диэлектрического слоя Si3N4 в растущую пленку Si или Ge контролируется разницей в положении уровней химического потенциала атомов водорода в них и не связан с термодиффузией. Процесс происходит только во время роста слоев Si и Ge и прекращается с его остановкой и с выравниванием уровней химического потенциала.
Received
06.07.2024
Number of purchasers
0
Views
18
Readers community rating
0.0 (0 votes)
Cite   Download pdf

References

1. B. J. Hallam, P. G. Hamer, A. M. C. Wenham, C. E. Chan, B. V. Stefani, and S. Wenham, Prog. Photovolt. Res. Appl. 1, 1217 (2020).

2. W. Soppe, H. Rieffe, and A. Weeber, Prog. Photovolt. Res. Appl. 13, 551 (2005).

3. R. S. Bonilla, B. Hoex, P. Hamer, and P. R. Wilshaw, Phys. Stat. Sol. (a) 214, 1700293 (2017).

4. M. Z. Rahman, Renew. Sustain. Energy Rev. 30, 734 (2014).

5. A. G. Aberle, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 65, 239 (2001).

6. J. Z. Xie, S. P. Murarka, X. S. Guo, and W. A. Lanford, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 150 (1989).

7. P. S. Peercy, H. J. Stein, B. L. Doyle, and S. T. Picraux, J. Electron. Mater. 8, 11 (1979).

8. C. Boehme and G. Lucovsky, J. Appl. Phys. 88, 6055 (2000).

9. W. Beyer, Phys. Stat. Sol. (a) 213, 1661 (2016).

10. W. Beyer, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 78, 235 (2003).

11. C. G. V. D. Walle and R. A. Street, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 377, 389 (1995).

12. J. Robertson, Phil. Mag. B 69, 307 (1994).

13. R. A. Street, Phys. Rev. B 43, 2454 (1991).

14. P. V. Santos, N. M. Johnson, R. A. Street, M. Hack, R. Thompson, and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 47, 10244 (1993).

15. W. B. Jackson and C. C. Tsai, Phys. Rev. B 45, 6564 (1992).

16. S. C. Deane and M. J. Powell, J. Non-Cryst. Sol. 198200, 295 (1996).

17. К. В. Чиж, Л. В. Арапкина, В. П. Дубков, Д. Б. Ставровский, В. А. Юрьев, М. С. Сторожевых, Автометрия 58, 79 (2022).

18. P. Paduschek and P. Eichinger, Appl. Phys. Lett. 36, 62 (1980).

19. H. J. Stein, J. Electron. Mater. 5, 161 (1976).

20. K.V. Chizh, L.V. Arapkina, D.B. Stavrovsky, P. I. Gaiduk, and V. A. Yuryev, Mater. Sci. Semicond. Process. 99, 78 (2019).

21. L. V. Arapkina, K. V. Chizh, D. B. Stavrovskii, V. P. Dubkov, E. P. Lazareva, and V. A. Yuryev, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 230, 111231 (2021).

22. M. S. Storozhevykh, V. P. Dubkov, L. V. Arapkina, K. V. Chizh, S. A. Mironov, V. A. Chapnin, and V. A. Yuryev, Proc. SPIE 10248, 102480O (2017).

23. D. Davazoglou and V. E. Vamvakas, J. Electrochem. Soc. 150, F90 (2003).

24. E. A. Taft, J. Electrochem. Soc. 118, 1341 (1971).

25. W. Beyer, J. Herion, H. Wagner, and U. Zastrow, Phil. Mag. B 63, 269 (1991).

26. A. Van Wieringen and N. Warmoltz, Physica 22, 849 (1956).

27. Y. L. Huang, Y. Ma, R. Job, and A. G. Ulyashin, J. Appl. Phys. 96, 7080 (2004).

28. W. Beyer, J. Non-Cryst. Sol. 198-200, 40 (1996).

Comments

No posts found

Write a review
Translate