ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ

Логинов А. Б.; Козловa М. В.

doi:10.31857/S0044451024030052

Главная>Номер выпуска 3>ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ

ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ

Оглавление

Аннотация Оценить Содержание публикации

Библиография Комментарии

Аннотация

Код статьи

S0044451024030052-1

Тип публикации

Статья

Статус публикации

Опубликовано

Авторы

Логинов А. Б. Связаться с автором

Аффилиация: Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Козловa М. В.

Аффилиация: Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова

Выпуск

Том 165 Номер выпуска 3

Страницы

355-366

Аннотация

Исследовано формирование мезопористых пленок дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, WS2) в ходе процесса химического газофазного осаждения с использованием газообразного сероводорода и термически распыляемого переходного металла (Mo или W). Исследованы морфология, спектры комбинационного рассеяния света, фотолюминесцентные свойства и электрическая проводимость пленок дихалькогенидов переходных металлов, полученных при различных концентрациях прекурсоров и длительности осаждения. Проведенный анализ позволил выявить основные стадии роста пленок: формирование островков в виде изолированных двумерных кристаллитов; частичное наложение кристаллитов при их постепенном разрастании в плоскости подложки; формирование сплошной планарной пленки; образование и дальнейший рост пластинчатых кристаллитов, ориентированных перпендикулярно к поверхности подложки. Качественные изменения морфологии, фотолюминесцентной и электрической проводимостей на различных стадиях формирования покрытий дихалькогенидами переходных металлов объясняются с учетом взаимодействия их электронной подсистемы с подложкой и соседними кристаллитами.

Источник финансирования

Исследования процесса син теза поддержаны Российским научным фондом (грант №23-22-00132). Исследования морфологиче ских свойств пленок выполнены при поддержке Фонда развития теоретической физики и матема тики "БАЗИС" (грант №21-2-10-34-1). Оптические исследования выполнялись при поддержке Россий ского научного фонда (грант №21-72-20050).

Классификатор

Получено

10.06.2024

Всего подписок

Всего просмотров

Оценка читателей

0.0 (0 голосов)

Цитировать Скачать pdf

ГОСТ	Козловa М. , Логинов А. ИЗМЕНЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ НА РАЗЛИЧНЫХ СТАДИЯХ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ В ПРОЦЕССЕ ХИМИЧЕСКОГО ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2024. – T. 165. – Номер выпуска 3 C. 355-366 . URL: https://jetpras.ru/s0044451024030052-1/?version_id=105643. DOI: 10.31857/S0044451024030052
MLA	Kozlova, M. V, Loginov, A. B "IZMENENIE SVOYSTV PLENOK DIKhAL'KOGENIDOV PEREKhODNYKh METALLOV NA RAZLIChNYKh STADIYaKh IKh FORMIROVANIYa V PROTsESSE KhIMIChESKOGO GAZOFAZNOGO OSAZhDENIYa." Журнал экспериментальной и теоретической физики. 165.3 (2024).:355-366. DOI: 10.31857/S0044451024030052
APA	Kozlova M., Loginov A. (2024). IZMENENIE SVOYSTV PLENOK DIKhAL'KOGENIDOV PEREKhODNYKh METALLOV NA RAZLIChNYKh STADIYaKh IKh FORMIROVANIYa V PROTsESSE KhIMIChESKOGO GAZOFAZNOGO OSAZhDENIYa. Журнал экспериментальной и теоретической физики. vol. 165, no. 3, pp.355-366 DOI: 10.31857/S0044451024030052

Библиография

1. S. Manzeli, D. Ovchinnikov, D. Pasquier et al., Nat. Rev. Mater. 2, 17033 (2017).

2. Л. А. Чернозатонский, А. А. Артюх, УФН 188, 3 (2018).

3. G. R. Bhimanapati, Z. Lin, V. Meunier et al., ACS Nano 9, 11509 (2015).

4. Y. Feng, L. Shen, M. Yang et al., WIREs Comput. Mol. Sci. 7, 5 (2017).

5. J. R. Schaibley, H. Yu, G. Clark et al., Nat. Rev. Mater. 1, 16055 (2016).

6. T.-H. Wang and H.-T. Jeng, Npj Comput. Mater. 3, 5 (2017).

7. Y. Yi, Z. Chen, X. Yu et al., Adv. Quantum Technol. 2, 1800111 (2019).

8. Y. Lin, X. Ling, L. Yu et al., Nano Lett. 14, 5569 (2014).

9. K. F. Mak and J. Shan, Nat. Photonics 10, 216 (2016).

10. X.-Q. Zhang, C.-H. Lin, Y.-W. Tseng et al., Nano Lett. 15, 410 (2015).

11. Y. Liu, N. O. Weiss, X. Duan et al., Nature Rev. Mat., 1, 16042 (2016).

12. P. K. Sahoo, S. Memaran, Y. Xin et al., Nature, 553, 7686, 63 (2018).

13. M. Bernardi, M. Palummo, and J. C. Grossman, Nano Lett. 13, 3664 (2013).

14. Y. Sheng, T. Chen, Y. Lu et al., ACS Nano 13, 4530 (2019).

15. H. F. Liu, S. L. Wong, D. Z. Chi, Chem. Vap. Depos. 21, 241 (2015).

16. C. S. Lau, J. Y. Chee, L. Cao et al., Adv. Mater. 34, 2103907, (2022).

17. X. Ma, J. Zhang, Y. Sun et al., ACS Appl. Mater. Interfaces 14 41, 47288 (2022).

18. X. Peng, J. Chen, S. Wang et al., Appl. Surf. Sci. 599, 153904 (2022).

19. S. Mobtakeri, S. Habashyani, and E. Gur, ACS Applied Materials and Interfaces, 14, 25741 (2022).

20. V. Forsberg, R. Zhang, J. Backstrom et al., PLOS ONE 11, e0154522 (2016).

21. J. Sun, X. Li, W. Guo et al., Crystals 7, 198 (2017).

22. S. Li, X. Chen, F. Liu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 11636 (2019).

23. A. B. Loginov, P. V. Fedotov, S. N. Bokova-Sirosh et al., Phys. Stat. Sol. B 260, 2200481 (2022).

24. А. Б. Логинов, Р. Р. Исмагилов, С. Н. Бокова-Сирош и др., ЖТФ 91, 1509 (2021).

25. С. А. Смагулова, П. В. Винокуров, А. А. Семенова и др., ФТП 54, 376 (2020).

26. М. С. Аржаков, Н. А. Александрова, А. Е. Жирнов и др., ДАН 418, 782 (2008).

27. А. А. Золотухин, А. Н. Образцов, А. О. Устинов и др., ЖЭТФ 124, 1291 (2003).

28. N. Scheuschner, O. Ochedowski, A.-M. Kaulitz et al., Phys. Rev. B 89, 125406 (2014).

29. A. Splendiani, L. Sun, Y. Zhang et al., Nano Lett. 10, 1271 (2010).

30. K. F. Mak, K. He, C. Lee et al., Nat. Mater. 12, 207 (2013).

31. A. R. Klots, A. K. M. Newaz, B. Wang et al., Sci. Rep. 4, 6608 (2014).

32. B. M. Lee and K. J. Loh, J. Mater. Sci. 50, 2973 (2015).

Библиография

Комментарии

Войти через