Везде
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaPxAs1−x НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001): КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ
Оглавление
Аннотация Оценить Содержание публикации
Библиография Комментарии
Поделиться
QR
Метрика
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaPxAs1−x НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001): КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ
Аннотация
Код статьи
S0044451024010061-1
Тип публикации
Статья
Статус публикации
Опубликовано
Авторы
Путято М. А  
Аффилиация: Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
Выпуск
Том 165 Номер выпуска 1
Страницы
51-64
Аннотация
Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaPxAs1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2 и P2. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.
Источник финансирования
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования (грант №075-15-2020-797 (13.1902.21.0024)).
Классификатор
Получено
12.06.2024
Всего подписок
0
Всего просмотров
19
Оценка читателей
0.0 (0 голосов)
Цитировать   Скачать pdf

Библиография

1. S. Martini, A. A. Quivy, A. Tabata, and J.R.Leite, Vac. Sci. Techn. B 18, 1991 (2000), doi: 10.1116/1.1303851.

2. R. K. Tsui, J. A. Curless, G. D. Kramer, and M.S.Peffley, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 2570 (1985), doi:10.1063/1.335884.

3. Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, УФН 178, 459 (2008), doi: 10.3367/UFNr.0178.200805b.0459.

4. K. Mochizuki and T. Nishinaga, Jpn. J. Appl. Phys.27, 1585 (1988), doi:10.1143/JJAP.27.1585.

5. J. R. Arthur, Surf. Sci. 43, 449 (1974), doi: 10.1116/1.1317818.

6. C. T. Foxon and B. A. Joyce, Surf. Sci. 64, 293 (1977), doi:10.1016/0039-6028(77)90273-4.

7. K. Ploog, Ann. Rev. Mater. Sci. 11, 171 (1981), doi:10.1146/annurev.ms.11.080181.001131.

8. J. M. Van Hove, P. J. Cohen, and J. Vac. Sci. Technol.20, 726 (1982), doi: 10.1063/1.96017.

9. C. E. C. Wood, C. R. Stanley, G. W. Wicks, and M. B. Esi, J.Appl. Phys. 54, 1868 (1983), doi: 10.1063/1.332239.

10. Y. H. Wang, W. C. Liu, C. Y. Chang, and S.A.Liao, J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), 30 (1986), doi: 10.1116/1.583319.

11. T. Nomura, H. Ogasawara, M. Miyao, and M. Hagino,J. Crystal Growth 111, 61 (1991), doi: 10.1016/00220248(91)90947-4.

12. S. Yu. Karpov and M. A. Maiorov, Surf. Sci. 393, 108 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(97)00563-3.

13. E. S. Tok, J. H. Neave, F. E. Allegretti, J. Zhang,T.S.Jones, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 371, 277 (1997), doi: 10.1016/S0039-6028(96)01085-0.

14. Yu. G. Galitsyn, S. P. Moshchenko, and A.S.Suranov, Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, 81 (1998).

15. Е. А. Емельянов, М. А. Путято, Б .Р. Семягин,Д.Ф.Феклин, В. В. Преображенский, ФТП 49, 163 (2015).

16. R. Heckingbottom, G. J. Davies, and K. A. Prior, Surf. Sci. 132, 375 (1983), doi: 10.1016/00396028(83)90548-4.

17. R. Heckingbottom, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 572 (1985), doi: 10.1116/1.583182.

18. H. Seki and A. Koukitu, J. Cryst. Growth 78, 342 (1986), doi: 10.1016/0022-0248(86)90070-9.

19. П. С. Копьев, Н. Н. Леденцов, ФТП 22, 1729 (1988).

20. S. V. Ivanov, P. D. Altukhov, T. S. Argunova,A.A.Bakun, A. A. Budza, V. V. Chaldyshev, Yu.A.Kovalenko, P. S.Kop’ev, R. N. Kutt, B.Ya.Meltser, S. S. Ruvimov, S. V. Shaposhnikov, L. M. Sorokin, and V. M. Ustinov, Semicond. Sci. Technol. 8, 347 (1993), doi: 10.1088/02681242/8/3/008.

21. А. Ю. Егоров, А. Р. Ковш, А. Е. Жуков, В.М.Устинов, П. С. Копьев, ФТФ 31, 1153 (1997), doi:10.1134/1.1187033.

22. В. В. Преображенский, В. П. Мигаль, Д. И. Лу-бышев, Поверхность. Физика, химия, механика 9, 156 (1989).

23. В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семя-гин, ФТП 36, 897 (2002).

24. Y. Tatsuoka, H. Kamimoto, T. Kitada, S.Shimomura, and S. Hiyamizu, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1549 (2000), doi: 10.1116/1.591424.

25. C. T. Foxon, B. A. Joyce, and M. T. Norris,J.Gryst. Growth. 49, 132 (1980), doi: 10.1016/00220248(80)90073-1.

26. B. W. Liang and C. W. Tu, J. Appl. Phys. 72, 2806 (1992), doi: 10.1063/1.351532.

27. T. Shitara, D. D. Vvedensky, M. R. Wilby, J. Zhang,J. H. Neave, and B. A. Joyce, Phys. Rev. B 46, 6825 (1992), doi: 10.1103/physrevb.46.6825.

Комментарии

Сообщения не найдены

Написать отзыв
Перевести