<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">Journal of Experimental and Theoretical Physics</journal-id><journal-title-group><journal-title>Journal of Experimental and Theoretical Physics</journal-title></journal-title-group><issn publication-format="print">0044-4510</issn><issn publication-format="electronic">3034-641X</issn><publisher><publisher-name>Russian Academy of Science</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.7868/S3034641X25030149</article-id><title-group><article-title>BISTABIL&#039;NOST&#039; V SLOE KhIRAL&#039;NOGO ZhIDKOGO KRISTALLA S OTRITsATEL&#039;NOY DIELEKTRIChESKOY ANIZOTROPIEY</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>БИСТАБИЛЬНОСТЬ В СЛОЕ ХИРАЛЬНОГО ЖИДКОГО КРИСТАЛЛА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><contrib-id contrib-id-type="orcid"></contrib-id><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Simdyankin</surname><given-names>I. V.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Симдянкин</surname><given-names>И. В. </given-names></name></name-alternatives><email>simdyankin_i_v_noemail@ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"></xref><xref ref-type="aff" rid="aff-2"></xref></contrib><contrib contrib-type="author"><contrib-id contrib-id-type="orcid"></contrib-id><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Geyvandov</surname><given-names>A. R</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Гейвандов</surname><given-names>А. Р </given-names></name></name-alternatives><email>geyvandov_a_r_noemail@ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"></xref></contrib><contrib contrib-type="author"><contrib-id contrib-id-type="orcid"></contrib-id><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Palto</surname><given-names>S. P.</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Палто</surname><given-names>С. П. </given-names></name></name-alternatives><email>palto_s_p_noemail@ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-5"></xref></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff><institution xml:lang="ru">Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»</institution><institution xml:lang="en"></institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff><institution xml:lang="ru"></institution><institution xml:lang="en"></institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff><institution xml:lang="ru">Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»</institution><institution xml:lang="en"></institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-5"><aff><institution xml:lang="ru">Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова, Курчатовский комплекс кристаллографии и фотоники, НИЦ «Курчатовский институт»</institution><institution xml:lang="en"></institution></aff></aff-alternatives><pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2025-03-07" publication-format="electronic"><day>07</day><month>03</month><year>2025</year></pub-date><volume>167</volume><issue>3</issue><fpage>442</fpage><lpage>451</lpage><abstract xml:lang="en"><p>Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><p>Исследован ориентационный переход в слое хирального жидкого кристалла (ХЖК) с отрицательной диэлектрической анизотропией в планарном электрическом поле, перпендикулярном оси спирали. Под действием электрического поля закрученное 2π-состояние переходит в топологически эквивалентное раскрученное 0-состояние. Возможен и обратный переход из 0-состояния в исходное 2π-состояние, который возникает благодаря флексоэлектрическому эффекту. Отличительной особенностью данного типа бистабильного переключения является отсутствие взаимодействия с обратными гидродинамическими потоками, что было необходимым условием в обнаруженных ранее эффектах бистабильности. В работе представлены результаты численного моделирования и эксперимента. Обсуждаются оптические текстуры и время жизни раскрученного 0-состояния в слоях ХЖК различной толщины, а также особенности механизма бистабильного переключения.</p></trans-abstract></article-meta></front><body></body><back><ref-list><ref id="B1"><label>B1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">J.C. Jones, Handbook of Optoelectronics, CRC Press, USA (2017).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B2"><label>B2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">J. H. Kim, M. Yoneya, and H. Yokoyama, Nature 420, 159 (2002).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B3"><label>B3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">П. В. Долганов, К. Д. Бакланова, В. К. Долганов, ЖЭТФ 157, 936 (2020).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B4"><label>B4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. P. Palto, D. O. Rybakov, B. A. Umanskii et al., Crystals 13, 10 (2022).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B5"><label>B5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">C. J. Gerritsma, J. de Klerk, and P. van Zanten, Sol. St. Commun. 17, 1077 (1975).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B6"><label>B6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">C. Z. van Doorn, J. Appl. Phys. 46, 3738 (1975).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B7"><label>B7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">D.W. Berreman and W. R. Heffner, Appl. Phys. Lett. 37, 109 (1980).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B8"><label>B8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 127, 220 (2005).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B9"><label>B9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">С. П. Палто, М. И. Барник, ЖЭТФ 129, 1132 (2006).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B10"><label>B10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">G. P. Bryan-Brown et al., Proc. SID Digest of Technical Papers 28, 37 (1997).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B11"><label>B11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">C. Joubert et al., SID Symposium Digest of Technical Papers 33, 30 (2002).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B12"><label>B12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">И. В. Симдянкин, А. Р. Гейвандов, С. П. Палто, Письма в ЖЭТФ 120, 690 (2024).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="B13"><label>B13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">I. V. Simdyankin, A. R. Geivandov, I. V. Kasyanova et al., Crystals 14, 891 (2024).</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en"></mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list></back></article>