Journal of Experimental and Theoretical PhysicsJournal of Experimental and Theoretical Physics0044-45103034-641XRussian Academy of Science10.31857/S0044451023110056Growth Kinetics of 4He Quantum Crystals at a Temperature of 0.1–0.2 KКинетика роста квантовых кристаллов 4He при температуре 0.1-0.2 kGusevR. B.ГусевР. Б. gusev_r_b_noemail@ras.ruTsymbalenkoV. L.ЦымбаленкоВ. Л. tsymbalenko_v_l_noemail@ras.ruИнститут физических проблем им. П. Л. Капицы Российской академии наукP.L. Kapitza Institute for Physical Problems, Russian Academy of SciencesНациональный исследовательский центр «Курчатовский институт»National Research Centre “Kurchatov Institute”011120231645752760

The growth kinetics of 4He crystals nucleated in a metastable liquid at a supersaturation of up to 10mbar is studied in the temperature range 90–180 mK. An optical dilution cryostat is used to observe and film crystal growth. The boundary supersaturation separating the normal (slow) and abnormal (fast) growth regions is determined. The growth rate of crystal facets in the normal growth mode is measured. The kinetics of fast crystal growth is investigated as a function of supersaturation and temperature.

Исследована кинетика роста кристаллов 4He, зарожденных в метастабильной жидкости при пересыщениях до 10 мбар, в интервале температур 90-180 мК. Наблюдение за ростом кристаллов и киносъемка проводились в оптическом криостате растворения. Определено граничное пересыщение, разделяющее области нормального (медленного) и аномального (быстрого) роста. Измерена скорость роста граней кристаллов в режиме нормального роста. Исследована кинетика быстрого роста кристаллов в зависимости от пересыщения и температуры.

А. Ф. Андреев, А. Я. Паршин, ЖЭТФ 75, 1511 (1978).К. О. Кешишев, А. Я. Паршин, А. В. Бабкин, Письма в ЖЭТФ 30, 63 (1979).S. Balibar, H. Alles, and A. Ya. Parshin, Rev. Mod. Phys. 77, 317 (2005).Современная кристаллография, под ред. В. К. Вайнштейна, Наука, Москва (1980).J. P.Ruutu, P. J. Hakonen, A. V. Babkin, A. Ya. Parshin, J. S. Penttila, J. P. Saramaki, and G. Tvalashvili, Phys. Rev. Lett. 76, 4187 (1996).В. Л. Цымбаленко, УФН 185, 1163 (2015).V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 211, 177 (1996).V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 248, 267 (1998).В. Л. Цымбаленко, ЖЭТФ 119, 1182 (2001).V. L. Tsymbalenko, Phys. Lett. A 274, 223 (2000).J. P.Ruutu, P. J. Hakonen, A. V. Babkin, A. Ya. Parshin, and G. Tvalashvili, J. Low Temp. Phys. 112, 117 (1998).В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 77, 288 (2003).P. E. Wolf, S. Balibar, F. Gallet, P. Nozieres, and E. Rolley, J. Physique 46, 1987 (1985).А. Я. Паршин, В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 77, 372 (2003).А. Я. Паршин, В. Л. Цымбаленко, ЖЭТФ 130, 319 (2006).В. Л. Цымбаленко, Письма в ЖЭТФ 113, 33 (2021).V. L. Tsymbalenko, J. Low Temp. Phys. 208, 324 (2022).В. Л. Цымбаленко, ФНТ 21, 162 (1995).V. L. Tsymbalenko, J. Low Temp. Phys. 195, 153 (2019).