Исследовано влияние физических процессов, связанных с поверхностными токами утечки, на электрофизические свойства и процедуру формовки устройств на базе многоуровневых мемристивных композиций AlO/TiO в конденсаторной структуре, колланарной линии и BEOL-интегрированных. Показано, что токи поверхностной утечки в мемристивных устройствах во многом определяются способом их интеграции и могут изменять вид вольт-амперных характеристик для высокоомных резистивных состояний. Более того, наличие токов утечки существенно увеличивает напряжение формовки мемристивных устройств.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation