By this author

Effect of Noise on Resistive Switching of an Yttria Stabilized Zirconia Based Memristor

Issue number 5 from 16.09.2025

Исследовано влияние гауссова шума на переключение мемристора на основе ZrO2(Y) из низкорезистивного состояния (НРС) в высокорезистивное состояние (ВРС), включая переход из НРС в промежуточные метастабильные состояния. В качестве переключающих сигналов использовалась последовательность положительных (с добавлением или без добавления шумового сигнала) и отрицательных прямоугольных импульсов напряжения. Добавление шума к переключающему сигналу инициирует переключение мемристора из НРС в ВРС при меньших амплитудах импульсов, чем в случае переключения прямоугольными импульсами без наложения шума. Добавлением шума с определенными параметрами к прямоугольным переключающим импульсам может быть достигнуто необходимое (заданное) ВРС, минуя промежуточные состояния. При этом резистивное переключение реализуется без применения адаптивных протоколов переключения. Результаты настоящего исследования могут быть применены при разработке инновационных протоколов переключения мемристоров.

1 0