Статьи автора

Зеемановское расщепление экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs в геометрии Фарадея

Номер выпуска 5 от 15.11.2023

Экспериментально исследовано зеемановское расщепление в гетероструктуре GaAs/AlGaAs. Проведенный численный расчет волновых функций экситонных состояний, учитывающий зоны тяжелых дырок, легких дырок и зону, отщепленную спин-орбитальным взаимодействием, количественно согласуется с экспериментальными данными как для экситона с тяжелой дыркой, так и для экситона с легкой дыркой. Показано, что для объяснения экспериментально полученных значений зеемановского расщепления в исследованной квантовой яме необходим учет как кулоновского взаимодействия, так и вклада трех зон в валентной зоне. Описан эффект экранирования экситонных состояний двумерным газом электронов,концентрация которых составляет величину n ≈ 109-см . Численный расчет проведен для большогодиапазона ширин квантовых ям и концентраций алюминия в барьерах, составлена карта зависимостивеличины эффективного g-фактора от этих параметров для магнитного поля величиной B = 5 Тл.

22 0