By this author

Growth Kinetics of 4He Quantum Crystals at a Temperature of 0.1–0.2 K

Issue number 5 from 16.09.2025

Исследована кинетика роста кристаллов 4He, зарожденных в метастабильной жидкости при пересыщениях до 10 мбар, в интервале температур 90-180 мК. Наблюдение за ростом кристаллов и киносъемка проводились в оптическом криостате растворения. Определено граничное пересыщение, разделяющее области нормального (медленного) и аномального (быстрого) роста. Измерена скорость роста граней кристаллов в режиме нормального роста. Исследована кинетика быстрого роста кристаллов в зависимости от пересыщения и температуры.

0