Статьи автора

Кинетика роста квантовых кристаллов 4He при температуре 0.1-0.2 k

Номер выпуска 5 от 16.09.2025

Исследована кинетика роста кристаллов 4He, зарожденных в метастабильной жидкости при пересыщениях до 10 мбар, в интервале температур 90-180 мК. Наблюдение за ростом кристаллов и киносъемка проводились в оптическом криостате растворения. Определено граничное пересыщение, разделяющее области нормального (медленного) и аномального (быстрого) роста. Измерена скорость роста граней кристаллов в режиме нормального роста. Исследована кинетика быстрого роста кристаллов в зависимости от пересыщения и температуры.

0