Исследованы возбужденные состояния наноразмерных двухкомпонентных полупроводниковых кристаллов типа «ядро-оболочка» с гетеропереходом второго рода. Продемонстрировано, что в их спектрах фотопоглощения доминирует дипольный плазмонный резонанс. При этом оказалось, что варьирование высоты потенциального барьера между ядром и оболочкой в сравнительно узком диапазоне приводит к принципиальному изменению характера коллективной моды от поверхностного плазмонного резонанса, типичного для спектров фотопоглощения проводящих наноразмерных частиц, к вращательной плазмонной моде, при которой возбуждаются только угловые степени свободы.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации