Статьи автора

Коллективные и квазилокальные моды в оптических спектрах гексаборидов YB6 и YbB6 с ян-теллеровской структурной неустойчивостью

Номер выпуска 2 от 16.09.2025

При комнатной температуре измерены широкодиапазонные спектры отражения гексаборидов YbB6 и YB6 с ян-теллеровской неустойчивостью борного каркаса. Анализ оптической проводимости обнаруживает наряду с друдевской электронной составляющей сильно передемпфированные коллективные моды, которые в YB6 характеризуются большими диэлектрическими вкладами ∆ε=2000-5700. Доля неравновесных носителей в гексабориде иттрия (YB6), находящемся на границе структурной неустойчивости ряда гексаборидов, достигает 85-90 %, тогда как в легированном полупроводнике - гексабориде иттербия (YbB6) их концентрация не превышает 25 %. Показано, что в отличие от предсказаний модели топологического кондо-изолятора «металлизация» поверхности в Yb2+B6 может быть объяснена дополнительным легированием приповерхностного слоя ионами Yb3+.

1 0

Магнитный отклик электронов проводимости в немагнитных гексаборидах YB6, LaB6 и YbB6 с электронной и структурной неустойчивостью

Номер выпуска 3 от 16.09.2025

Выполнены детальные исследования и предложена процедура разделения вкладов в намагниченность монокристаллов немагнитных гексаборидов YB6, LaB6 и YbB6. Показано, что малые отрицательные0значения электронной восприимчивости χe(T ) в металлах YB6, LaB6 определяются, по-видимому, малым значением эффективной массы зонных носителей m∗ ∼ 0.5m , что приводит к взаимной компенсации паулиевской компоненты и диамагнетизма Ландау. Обнаружены изменения χe(T ) в интервалах ∗T < T∗∼ 50 K и T > 150 K, которые связываются с переходом порядок-беспорядок ниже Tи вкладомносителей, обусловленным ян-теллеровской структурной неустойчивостью борного каркаса.

0