By this author

ФЛУКТУАЦИОННЫЙ МЕХАНИЗМ ОДНОИОННОЙ АНИЗОТРОПИИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА MnBiTe

Issue number 6 from 10.03.2025

Показано, что зарядовые флуктуации, инициируемые перескоками электронов, при учете спинорбитального взаимодействия снимают шестикратное вырождение орбитального синглета 6S иона Mn в топологическом изоляторе MnBi2Te4 и приводят к одноионной анизотропии. При решении задачи введено мультиплетное представление для операторов рождения фермионов атомных состояний через операторы, описывающие переходы между многоэлектронными функциями. Во втором порядке операторной формы теории возмущений получены выражения для заселенностей nM состояний ионов Mn при различных значениях проекции спина M терма 6S и определены константы одноионной анизотропии. Из вычислений следует, что флуктуационный механизм обеспечивает возможность реализации анизотропии типа «легкая ось», которая имеет место в MnBi2Te4. При этом интервал значений константы анизотропии D2, получающийся при варьировании исходных параметров модели, включает значение D2 = −0.0095 мэВ, необходимое для получения критического поля спин-флоп-перехода Hsf, известного из эксперимента. Предложенный механизм имеет широкую область применимости для описания анизотропии соединений, в которых основное состояние магнитоактивного иона в схеме слабого кристаллического поля описывается орбитальным синглетом.

0

Antiferromagnetic Excitonic Insulator

Issue number 4 from 16.09.2025

Для оксидов иридия при учете сильных электронных корреляций (СЭК) и спин-орбитального взаимодействия получен эффективный двухзонный гамильтониан. Внутриатомные электронные корреляции в ионах иридия индуцируют формирование фермионов Хаббарда (ФХ), заполняющих состояния валентной зоны. Другое следствие СЭК связано с возникновением по механизму Андерсона обменного взаимодействия антиферромагнитного (АФМ) типа между ФХ. В результате в системе устанавливается дальний АФМ порядок, а в условиях перекрытия зон межузельное кулоновское взаимодействие индуцирует фазовый переход в состояние экситонного диэлектрика (ЭД) с дальним АФМ порядком. Система интегральных уравнений самосогласования, решение которой определяет компоненты экситонного параметра порядка ∆ij(k), намагниченность подрешетки M , концентрацию фермионов Хаббарда nd и химпотенциал µ, получена при использовании атомного представления, метода двухвременных температурных функций Грина и техники проецирования Цванцига-Мори. Проведена симметрийная классификация фаз АФМ ЭД и показано, что в приближении ближайших соседей состояние с s-типом симметрии ∆ij (k) соответствует основному состоянию, тогда как фазы с d- и p-типом симметрии являются метастабильными. Статья для специального выпуска ЖЭТФ, посвященного 95-летию Л. А. Прозоровой

0