Интерфейсные плоскости и ориентационные соотношения между ферромагнитным силицидом Fe3Si и кремнием были спрогнозированы в рамках кристалло-геометрического подхода. Показана возможность образования атомарно гладкого интерфейса между Fe3Si и подложками Si(001) и Si(111), а также α-FeSi2(001). На основе анализа ориентационных соотношений в системе Fe3Si//α-FeSi2//Si предложен способ выращивания отдельно стоящих нанокристаллов Fe3Si на подложках Si(001) и Si(111) с помощью нанокристаллов α-FeSi2 в качестве буферного слоя. В зависимости от типа подложки и параметров роста буферного слоя кристаллическая решетка нанокристаллов Fe3Si, выращенных в подобной тройной системе, может претерпевать понижение симметрии с кубической до тетрагональной и далее, до орторомбической, со сжатием вдоль направлений [110] на 3.93 % или 5.31 %. Полученные результаты указывают на возможность создания ансамблей ферромагнитных наночастиц с управляемыми магнитными свойствами, которые могут использоваться для систем хранения данных высокой плотности, спинтроники и магнитных датчиков.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation