By this author

PLAZMONNOE DETEKTIROVANIE TERAGERTsEVOGO IZLUChENIYa S ISPOL'ZOVANIEM SVETODIODNYKh GETEROSTRUKTUR InxGa1−xN/GaN S MNOZhESTVENNYMI KVANTOVYMI YaMAMI

Issue number 5 from 15.05.2025

Плазмонное детектирование терагерцевого излучения проводится с использованием светодиодных нитрид-галлиевых гетероструктур InxGa1−xN/GaN с множественными квантовыми ямами. В качестве структуры, связывающей электрическое поле плазмона с полем падающего терагерцевого излучения применяются решетчатые затворы с электродами из Ti/Au. Исследуются образцы гетероструктур с периодами затвора 1.6 и 1.0 мкм. Генерация и детектирование коллективных плазмонных колебаний в двумерной электронной системе осуществляются методом терагерцевой спектроскопии с временным разрешением, использующим фотопроводящие антенны на основе GaN. Получены частотные спектры мощности и фазового сдвига терагерцевого излучения в диапазоне температур от 90 до 170 К. Наблюдаемое синее смещение фундаментальной плазмонной моды при уменьшении периода затвора объясняется изменением волнового вектора плазмона.

117 0