Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СПИН-ЗАВИСИМЫЙ ТРАНСПОРТ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДАХ CoPt/GaAs/InGaAs

Номер выпуска 4 от 16.09.2025

Исследовано влияние дефектообразования на времена спиновой релаксации и рекомбинации носителей заряда в спиновых светоизлучающих диодах с ферромагнитным инжектирующим контактом CoPt/Al2O3/GaAs. Контролируемое дефектообразование осуществлялось путем облучения сформированных диодов ионами He+ с флюенсом 1012 см−2 и энергией 20 кэВ. Показано, что после облучения рекомбинационное время жизни в структурах существенно снижается, но время спиновой релаксации носителей, напротив, не претерпевает существенных изменений. В результате ионное облучение и сопутствующее образование вакансий обусловливают повышение степени циркулярной поляризации электролюминесценции спиновых светоизлучающих диодов за счет повышения отношения времени спиновой релаксации ко времени жизни (τs/τR). Полученный эффект сопровождается гашением электролюминесценции, что ставит под сомнение возможность применения данного метода в спиновых светоизлучающих диодах. Однако в приборах спинтроники, использующих спин-зависимый транспорт, возможность повышения времени спиновой релаксации при ионном облучении положительно скажется на эффективности их работы.

14 0