By this author

CHANGING THE PROPERTIES OF Hf_0.5Zr_0.5O₂ DURING CYCLIC REPOLARIZATION OF FERROELECTRIC CAPACITORS WITH DIFFERENT ELECTRODE MATERIALS

Issue number 5 from 16.09.2025

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.

67 0