By this author

FORMATION OF SEMICONDUCTOR STATE IN OXYSULFOSTIBNITES RSbS₂O WITH R = Dy, Ho, Er

Issue number 3 from 15.09.2024

Исследованы особенности формирования полупроводникового состояния в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов DySbS₂O, HoSbS₂O и ErSbS₂O. Теоретические расчеты, выполненные в рамках метода GGA+U с учетом электронных корреляций в 4f-оболочке редкоземельных элементов, показали, что три соединения, DySbS₂O, HoSbS₂O и ErSbS₂O, являются полупроводниками с малой по величине прямой щелью 0.06, 0.10 и 0.09 эВ для DySbS₂O, HoSbS₂O и ErSbS₂O соответственно в высокосимметричной точке X. Обнаружено, что для формирования запрещенной зоны в оксисульфостибнитах редкоземельных металлов важными оказываются как проведение оптимизации кристаллической структуры, так и учет спин-орбитального взаимодействия. Оксисульфостибниты редкоземельных металлов, как и их слоистые структурные аналоги оксисульфиды, благодаря своим свойствам могут найти широкое применение в биомедицине, фотолюминесценции и других областях.

102 0