Статьи автора

ЗАХВАТ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК НА СОСТОЯНИЯ ВАКАНСИЙ РТУТИ С ИСПУСКАНИЕМ ОДИНОЧНОГО ОПТИЧЕСКОГО ФОНОНА ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ШОКЛИ– РИДА–ХОЛЛА В УЗКОЗОННЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ HgCdTe

Номер выпуска 6 от 15.06.2024

Расчитано время рекомбинации Шокли – Рида – Холла (ШРХ) при захвате носителей заряда на состояния вакансии ртути в твердых растворах HgCdTe с шириной запрещенной зоны около 40 мэВ. В рассматривемом случае захват как электрона, так и дырки возможен за счет испускания одного оптического фонона. Установлено, что при T = 4.2 и 77 К рекомбинация ШРХ определяет общее время жизни носителей в материале p-типа при концентрации центров рекомбинации более 2・10¹⁵ см⁻³, что позволяет управлять временем жизни носителей за счет изменения концентрации вакансий ртути.

86 0