Статьи автора

ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ИОНАМИ Xe С ЭНЕРГИЕЙ 167 МЭВ НА СВЕРХПРОВОДЯЩИЕ СВОЙСТВА ВТСП-ЛЕНТ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ

Номер выпуска 6 от 15.06.2024

Проведены систематические исследования ВТСП-лент второго поколения, облученных высокоэнергетичными ионами Xe с энергией 167 МэВ и флюенсами до 1 ・ 10¹² см^-2. Определено оптимальное значение флюенса (количества частиц, прошедших через 1 см² поверхности образца) для получения максимального критического тока при различных температурах и внешних магнитных полях. Увеличение внешнего магнитного поля приводит к смещению пика критического тока в сторону больших значений флюенсов во всем диапазоне температур. Приводятся результаты микроструктурных исследований методами просвечивающей/растровой электронной микроскопии и рентгеновской дифракции. Показано, что в результате облучения образуются ионные треки диаметром порядка 5–8 нм, выступающие в роли эффективных центров пиннинга. Рентгеноструктурный анализ свидетельствует о снижении остроты текстуры под воздействием облучения.

109 0