By this author

REGIMES OF ELECTRONIC TRANSPORT IN DOPED InAs NANOWIRE

Issue number 3 from 15.03.2024

Представлены результаты измерения магнитотранспорта в допированных кремнием нанопроволоках InAs в присутствии проводящего острия атомно-силового микроскопа, так называемая техника scanning gate microscopy (SGM). Увеличивая концентрацию носителей в нанопроволоке путем прикладывания положительного напряжения на нижний затвор, удалось последовательно провести транспорт в нанопроволоке через четыре различных режима, а именно, остаточный режим кулоновской блокады, резонансный нелинейный и линейный режимы и, наконец, режим практичски однородного диффузного транспорта. Продемонстрирована связь между особенностями результатов сканирования техникой SGM и спектром универсальных флуктуаций проводимости (R⁻¹B)). Кроме того, показано фрактальное поведение кривой R⁻¹(B) в нелинейном и линейном режимах резонансного транспорта.

95 0