Исследовано формирование мезопористых пленок дихалькогенидов переходных металлов (MoS2, WS2) в ходе процесса химического газофазного осаждения с использованием газообразного сероводорода и термически распыляемого переходного металла (Mo или W). Исследованы морфология, спектры комбинационного рассеяния света, фотолюминесцентные свойства и электрическая проводимость пленок дихалькогенидов переходных металлов, полученных при различных концентрациях прекурсоров и длительности осаждения. Проведенный анализ позволил выявить основные стадии роста пленок: формирование островков в виде изолированных двумерных кристаллитов; частичное наложение кристаллитов при их постепенном разрастании в плоскости подложки; формирование сплошной планарной пленки; образование и дальнейший рост пластинчатых кристаллитов, ориентированных перпендикулярно к поверхности подложки. Качественные изменения морфологии, фотолюминесцентной и электрической проводимостей на различных стадиях формирования покрытий дихалькогенидами переходных металлов объясняются с учетом взаимодействия их электронной подсистемы с подложкой и соседними кристаллитами.
