Построена теория обусловленных спин-орбитальным взаимодействием размерных эффектов в магнитосопротивлении тонких пленок нормальных металлов, учитывающая поверхностное рассеяние электронов проводимости с переворотом спина. Проведены экспериментальные исследования структурных и гальваномагнитных свойств тонких пленок β-тантала различной толщины, приготовленных методом магнетронного напыления. На основе анализа экспериментальных данных в рамках построенной теории сделаны оценки длины спиновой диффузии, времени спиновой релаксации и спинового угла Холла для тонких пленок β-тантала.
Исследовано влияние спин-орбитального взаимодействия (СОВ) на распределение спиновых и зарядовых токов, индуцируемых в немагнитном проводнике падающей на него электромагнитной волной. Описано влияние СОВ на спиновый резонанс электронов проводимости (СРЭП) в металлах. Установлено, что СОВ может значительно изменять форму линии СРЭП. Показано, что это обстоятельство может быть использовано для определения величины СОВ в металле с помощью прецизионных измерений асимметрии линии СРЭП. Предсказано существование эффекта усиления СРЭП в металлах с сильным СОВ. Показано, что СОВ может приводить к эффекту усиления селективной спиновой прозрачности и что в немагнитном металле может возникать обусловленная СОВ инверсия потока энергии электромагнитной волны — эффект, заключающийся в возникновении в глубине металла потока энергии электромагнитного поля, направленного к поверхности металла. Статья для специального выпуска ЖЭТФ, посвященного 130-летию П. Л. Капицы
Исследовано микроволновое магнитосопротивление в сверхрешетках (Co77Fe17Ni6)/(Cu96In4), полученных методом магнетронного напыления при осаждении слоев на профилированную поверхность из чередующихся микрополосок шириной 3 мкм, сформированных методами микролитографии в буферном слое тантала толщиной 20 нм. Профиль поверхности представляет собой меандр с периодом около 6 мкм и глубиной канавок 5.5 нм. На частотах миллиметрового диапазона длин волн измерено микроволновое магнитосопротивление и проведено сравнение с непрофилированным образцом. Разработан метод определения входного импеданса системы сверхрешетка–диэлектрическая подложка и восстановлена частотная зависимость входного импеданса профилированного и непрофилированного образцов. Установлено, что наименьший импеданс у непрофилированного образца, а самый большой у профилированного образца при направлении микроволнового электрического поля перпендикулярно направлению полосок. Максимальное микроволновое магнитосопротивление непрофилированного образца в два раза превышает магнитосопротивление, измеренное на постоянном токе.