Статьи автора

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА GaP_xAs_1−x НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001): КИНЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ

Номер выпуска 1 от 16.09.2025

Предложена кинетическая модель процесса формирования состава в анионной подрешетке твердого раствора GaP_xAs_1−x при молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As₂ и P₂. В основу модели положен двумерно-слоевой механизм роста, при котором террасы, имеющие реконструированную поверхность, последовательно достраиваются в областях роста, локализованных в изломах ступеней. Рассмотрены элементарные процессы массопереноса в областях роста, на поверхности террас, а также на их краях. Путем сравнения расчетных значений x с экспериментальными данными определены кинетические константы модели. Включение в рассмотрение обменных процессов в анионном слое на поверхности и краях террас вне областей роста позволило объяснить влияние температуры подложки, скорости роста и величины угла отклонения поверхности подложки от грани (001) на состав твердого раствора в подрешетке элементов пятой группы.

62 0

ФОРМИРОВАНИЕ СОСТАВА В АНИОННОЙ ПОДРЕШЕТКЕ ТВЕРДОГО РАСТВОРА InAsxSb1−x ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА ВИЦИНАЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ (001)

Номер выпуска 4 от 16.09.2025

Экспериментально исследована зависимость доли мышьяка в слоях InAsxSb1−x, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальной поверхности (001) с использованием потоков молекул As2/As4 и Sb4. Экспериментальные данные описаны с помощью кинетической модели, основанной на положениях и подходах, предложенных и апробированных ранее применительно к GaPxAs1−x. В настоящей модели учтены особенности взаимодействия молекул As2/As4 и Sb4 с поверхностью InAsxSb1−x(001). Установлено, что механизм взаимодействия молекул As2 c InAsxSb1−x(001) зависит от поверхностной сверхструктуры.

19 0