Анализируется влияние встроенного пьезоэлектрического поля на механизм оже-рекомбинации в квантовых ямах InGaN/GaN. Приводятся аналитические выражения для коэффициентов беспорогового и квазипорогового каналов оже-рекомбинации. Показано, что с ростом пьезоэлектрического поля Ef коэффициенты оже-рекомбинации убывают, что связано с общим уменьшением интегралов перекрытия между состояниями валентной зоны и зоны проводимости.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации