By this author

IZMENENIE SVOYSTV Hf0.5Zr0.5O2 PRI TsIKLIChESKOY PEREPOLYaRIZATsII SEGNETOELEKTRIChESKIKh KONDENSATOROV S RAZNYMI MATERIALAMI ELEKTRODOV

Issue number 5 from 15.11.2024

Интерес к использованию сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти в электронных запоминающих устройствах с низким энергопотреблением возник после открытия сегнетоэлектричества в оксиде гафния. Легирование пленок оксида гафния различными элементами позволяет улучшить их сегнетоэлектрические свойства. В данной работе объединены эксперимент и моделирование транспорта заряда для изучения влияния материала металлических электродов в структурах металл–сегнетоэлектрик–металл на основе оксида гафния–циркония на сегнетоэлектрические свойства и среднее расстояние между вакансиями кислорода в процессе циклической переполяризации структур.

127 0